[发明专利]具有改进的尖端轮廓的晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

在衬底上形成绝缘体；

在所述绝缘体上形成栅；

在所述栅的侧面上形成多个侧壁隔片；以及

利用湿法蚀刻在所述衬底中蚀刻源区和漏区，所述湿法蚀刻对所述衬底中的晶面具有充分的选择性。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

利用所述湿法蚀刻，在所述源区中的所述衬底的{111}晶面中形成一刻面，并在所述漏区中的所述衬底的{111}晶面中形成一刻面。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括：

利用所述湿法蚀刻，在所述源区中的所述衬底的{010}晶面中形成一刻面，并在所述漏区中的所述衬底的{010}晶面中形成一刻面。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述源区中形成源，并在所述漏区中形成漏。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述源和所述漏还包括硅锗。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述源的表面和所述漏的表面基本与所述衬底的表面齐平。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，湿法蚀刻化学试剂从由NH₄OH、NH₃OH、TMAH、KOH、NaOH、BTMH、基于胺的蚀刻剂及它们的组合组成的组中选出。

8.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述湿法蚀刻化学试剂的pH大于约9.0。

9.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述衬底包括{001}硅。

10.一种方法，包括：

在衬底上形成绝缘体；

在所述绝缘体上形成栅；

在所述栅的侧面上形成多个侧壁隔片；以及

利用湿法蚀刻在所述衬底中蚀刻源区和漏区，所述源区和所述漏区各自在所述栅之下横向延伸，所述源区和所述漏区各自还包括：

在所述衬底的{111}晶面中的刻面，以及

在所述衬底的{010}晶面中的刻面。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述源区中形成源，并在所述漏区中形成漏，其中所述源的表面和所述漏的表面基本与所述衬底的表面齐平。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述栅、所述源和所述漏上形成硅化物。

13.如权利要求10所述的方法，其特征在于，湿法蚀刻化学试剂从由NH₄OH、NH₃OH、TMAH、KOH、NaOH、BTMH、基于胺的蚀刻剂及它们的组合组成的组中选出。

14.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述湿法蚀刻化学试剂的pH大于约9.0。

15.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述衬底是{001}硅。

16.一种晶体管，包括：

形成于{001}硅衬底上的绝缘体；

形成于所述绝缘体上的栅；

形成于所述栅的侧面上的多个侧壁隔片；以及

形成于所述衬底中的源和漏，其中所述源的一部分和所述漏的一部分各自在所述栅之下横向延伸，并且其中所述源和所述漏各自包括所述{001}硅衬底的{111}晶面中的刻面。

17.如权利要求16所述的晶体管，其特征在于，所述源和所述漏各自还包括与所述绝缘体相邻的所述{001}硅衬底的{010}晶面中的刻面。

18.如权利要求17所述的晶体管，其特征在于，在所述源和所述漏中的{010}晶面中的每一个刻面具有约3纳米的长度。

19.如权利要求17所述的晶体管，其特征在于，所述源和所述漏各自在所述栅下横向延伸约20纳米。

20.如权利要求17所述的晶体管，其特征在于，所述源和所述漏还包括硅锗，其中所述源的表面和所述漏的表面各自基本上与所述{001}硅衬底的表面齐平。