[发明专利]无铅半导体封装件

权利要求书

1.一种封装件基片(4)，具有芯片面与管脚面、位于上述芯片面上的多个芯片焊垫(3)、以及位于上述管脚面上的多个管脚填锡(5)；

上述多个芯片焊垫(3)具有芯片焊垫回焊温度且上述多个管脚填锡(5)具有管脚填锡回焊温度，其中上述芯片焊垫回焊温度低于上述管脚填锡回焊温度，且其中上述管脚填锡回焊温度低于上述封装件基片(4)的分解温度；

上述多个芯片焊垫(3)包括约4wt％至约8wt％之间的铋、约2wt％至约4wt％的银、约0wt％至约0.7wt％的铜、以及约87wt％至约92wt％的锡。

2.如权利要求1所述的封装件基片(4)，其中，上述多个管脚填锡(5)包括约90wt％至约99wt％之间的锡以及约10wt％至1wt％的锑。

3.一种封装件基片(4)，具有芯片面与管脚面、位于上述芯片面上的多个芯片焊垫(3)、以及位于上述管脚面上的多个管脚填锡(5)；

上述多个芯片焊垫(3)具有芯片焊垫回焊温度且上述多个管脚填锡(5)具有管脚填锡回焊温度，其中上述芯片焊垫回焊温度低于上述管脚填锡回焊温度，且其中上述管脚填锡回焊温度系低于上述封装件基片(4)的分解温度；

上述多个芯片焊垫(3)包括约7wt％至约20wt％之间的铟、约2wt％至约4.5wt％之间的银、约0wt％至约0.7wt％之间的铜、约0wt％至0.5wt％之间的锑、以及约74.3wt％至约90wt％之间的锡。

4.如权利要求3所述的封装件基片(4)，其中，上述多个管脚填锡(5)包括约90wt％至约99wt％之间的锡以及约10wt％至1wt％的锑。

5.一种封装件基片(4)，具有芯片面与管脚面、位于上述芯片面上的多个芯片焊垫(3)、以及位于上述管脚面上的多个管脚填锡(5)；

上述多个芯片焊垫(3)具有芯片焊垫回焊温度且上述多个管脚填锡(5)具有管脚填锡回焊温度，其中上述芯片焊垫(3)回焊温度低于上述管脚填锡回焊温度，且其中上述管脚填锡回焊温度低于上述封装件基片(4)的分解温度；

上述多个管脚填锡(5)包括约90wt％至约99wt％之间的锡以及约10wt％至1wt％的锑。

6.如权利要求5所述的封装件基片(4)，其中，上述多个芯片焊垫(3)包括约4wt％至约8wt％之间的铋、约2wt％至约4wt％的银、约0wt％至约0.7wt％的铜、以及约87wt％至约92wt％的锡。

7.如权利要求5所述的封装件基片(4)，其中，上述多个芯片焊垫(3)包括约7wt％至约20wt％之间的铟、约2wt％至约4.5wt％之间的银、约0wt％至约0.7wt％之间的铜、约0wt％至约0.5wt％之间的锑、以及约74.3wt％至约90wt％之间的锡。

8.如权利要求5所述的封装件基片(4)，其中，倒装芯片位于上述芯片面上。

9.如权利要求8所述的封装件基片(4)，其中，上述倒装芯片包含多个焊接凸块(2)，其中上述多个焊接凸块(2)中的每一个附着在上述多个芯片焊垫(3)的相对应的其中一个上。

10.如权利要求5所述的封装件基片(4)，其中，管脚栅格阵列位于上述管脚面上，上述管脚栅格阵列包含多个管脚导脚(6)，上述多个管脚导脚(6)的每一个附着在上述多个管脚填锡(5)的相对应的其中一个上。