[发明专利]半导体处理方法和半导体构造

权利要求书

1.一种半导体处理方法，其包括：

提供半导体材料；

形成延伸进入所述半导体材料的开口；

用衬里保护所述开口的上部周边，同时留下所述开口的下部周边的至少一部分没有衬里；

在保护所述上部周边的同时，蚀刻穿过所述无衬里部分以形成所述开口的球根状延伸部；以及

用绝缘材料大致填充所述球根状延伸部。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体材料包括硅。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬里包括碳、氢和氟。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬里包括氧化物。

5.根据权利要求4所述的方法，其中通过沿着所述开口的所述周边使所述半导体材料氧化来形成所述衬里。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬里通过以下步骤形成：

在所述开口的整个所述下部周边和所述上部周边两者上形成衬里材料；以及

各向异性地蚀刻所述衬里材料以从所述下部周边的所述至少一部分移除所述衬里材料，同时留下沿着所述开口的所述上部周边的所述衬里材料作为保护所述开口的所述上部周边的所述衬里。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述开口的所述无衬里部分包含所述开口的整个底部。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻利用至少大致各向同性的蚀刻。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻利用各向异性的蚀刻，随后是至少大致各向同性的蚀刻。

10.一种半导体处理方法，其包括：

提供半导体材料；

形成延伸进入所述半导体材料达到第一深度的开口；

用包括有机聚合物的衬里给所述开口的周边加衬；

从所述开口的下部区移除所述衬里，同时留下沿着所述开口的上部区的所述衬里；以及

用至少大致各向同性的蚀刻来蚀刻穿过所述开口的所述无衬里下部区，以形成所述开口的加宽延伸部。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述半导体材料实质上由硅组成。

12.根据权利要求10所述的方法，其中从所述开口的所述下部区移除所述衬里包括各向异性地蚀刻所述衬里。

13.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括首先用各向异性的蚀刻来蚀刻穿过所述开口的所述无衬里下部区，且接着用至少大致各向同性的蚀刻来蚀刻穿过所述开口的所述无衬里下部区。

14.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括在所述蚀刻之后移除所述聚合有机衬里，并随后用介电材料填充所述开口。

15.根据权利要求10所述的方法，其中所述聚合有机衬里包括碳、氢和氟。

16.一种半导体处理方法，其包括：

提供含硅材料；

形成延伸进入所述含硅材料的开口，所述开口具有球根状底部区和从所述底部区向上延伸到所述含硅材料的表面的茎部区；

用绝缘材料大致填充所述开口；

在所述开口的一侧上形成第一晶体管装置，所述第一晶体管装置具有延伸进入所述含硅材料的一对第一源极/漏极区；

在所述开口的与所述第一晶体管装置相对的一侧上形成第二晶体管装置，所述第二晶体管装置具有延伸进入所述含硅材料的一对第二源极/漏极区；以及

利用所述开口内的所述绝缘材料来提供所述第一与第二晶体管装置之间的电隔离。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述形成所述开口包括：

形成延伸进入所述含硅材料的所述茎部区；

形成沿着所述茎部区的侧壁的保护层；以及

在所述保护层沿着所述侧壁时，用至少大致各向同性的蚀刻形成所述开口的所述球根状底部区。

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述保护层包括二氧化硅。

19.根据权利要求17所述的方法，其中所述保护层包括聚合有机材料。

20.根据权利要求16所述的方法，其进一步包括在用所述绝缘材料大致填充所述开口之前移除所述保护层。