[发明专利]半导体处理方法和半导体构造

说明书

技术领域

本发明涉及半导体处理方法，且涉及半导体构造。

背景技术

随着集成电路的集成程度增加，维持邻近电气装置之间的电隔离成为越来越大的挑战。举例来说，动态随机存取存储器(DRAM)的密度已由于DRAM技术的发展而每三年约变为四倍。随着装置尺寸缩减，由于用于隔离结构的空间减少，维持存储器阵列区中的电隔离(尤其是单元与单元的隔离)变为越来越大的挑战。常用的隔离结构是沟槽隔离结构(例如，浅沟槽隔离结构)，在一直减少的可用于结构的占据面积内形成和填充这些隔离结构的沟槽正逐渐变为挑战。

单元与单元的隔离正变为引起集成电路故障的较大因素，其中此故障常常归因于沟槽隔离区周围的泄漏。已经利用场植入来尝试防止沟槽隔离结构周围的泄漏，但这可产生刷新的问题。

单元与单元的隔离已经成为挑战性的问题，且预期未来几代的装置将由于可用于未来隔离结构的较紧密间距和较小空间而变得更具挑战。因此，需要开发新的隔离结构。尤其需要这些隔离结构适用于单元与单元的隔离。

发明内容

在一个方面，本发明包含一种半导体处理方法。提供半导体材料，且形成延伸进入所述半导体材料的开口。所述开口的上部周边具备衬里，但所述开口的下部周边的至少一部分没有衬里。进行穿过所述无衬里部分的蚀刻以形成所述开口的球根状延伸部，且用绝缘材料大致填充此球根状延伸部。

在一个方面，本发明涵盖一种半导体处理方法。提供半导体材料，且形成延伸进入所述半导体材料达到第一深度的开口。用保护衬里给开口的周边加衬，除了开口的下部区之外。用至少大致各向同性的蚀刻来蚀刻穿过所述开口的所述无衬里下部区以形成所述开口的加宽延伸部。

在一个方面，本发明涵盖一种半导体处理方法。提供含硅材料。形成延伸进入所述含硅材料的开口。所述开口具有球根状底部区和从所述底部区向上延伸到所述含硅材料的表面的茎部区。用绝缘材料大致填充所述开口。在所述开口的一侧上形成第一晶体管装置，所述第一晶体管装置具有延伸进入所述含硅材料的一对第一源极/漏极区。在所述开口的与所述第一晶体管装置相对的一侧上形成第二晶体管装置，所述第二晶体管装置具有延伸进入所述含硅材料的一对第二源极/漏极区。利用所述开口内的绝缘材料提供所述第一与第二晶体管装置之间的电隔离。

在一个方面，本发明包含一种半导体构造。所述构造包括半导体材料和延伸进入所述半导体材料的电绝缘结构。所述电绝缘结构具有球根状底部区和从所述底部区向上延伸到所述半导体材料的表面的茎部。所述构造可进一步包含在所述电绝缘结构的一侧上的第一晶体管装置，和在所述电绝缘结构的相对侧上的第二晶体管装置，其中所述绝缘结构的绝缘材料提供所述第一与第二晶体管装置之间的电隔离。

附图说明

下文参看以下附图描述本发明的优选实施例。

图1是在本发明示范性方面的初步处理阶段的半导体晶片段的图解横截面图。

图2是在图1处理阶段之后的处理阶段展示的图1晶片段的视图。

图3是在图2处理阶段之后的处理阶段展示的图1晶片段的视图。

图4是在图3处理阶段之后的处理阶段展示的图1晶片段的视图。

图5是在图4处理阶段之后的处理阶段展示的图1晶片段的视图。

图6是在图5处理阶段之后的处理阶段展示的图1晶片段的视图。

图7是在图6处理阶段之后的处理阶段展示的图1晶片段的视图。

图8是在图7处理阶段之后的处理阶段展示的图1晶片段的视图。

图9是在图8处理阶段之后的处理阶段展示的图1晶片段的视图。

图10是在图9处理阶段之后的处理阶段展示的图1晶片段的视图。

图11是根据图10方面的替代方面在图9处理阶段之后的处理阶段展示的图1晶片段的视图。

图12是根据图5方面的本发明替代方面在图4处理阶段之后的处理阶段展示的图1晶片段的视图。

图13是在图12处理阶段之后的处理阶段展示的图1晶片段的视图。

具体实施方式