[发明专利]可调整膜式电阻器以及形成和调整膜式电阻器的方法有效

专利信息
申请号: 200680025736.8 申请日: 2006-09-14
公开(公告)号: CN101223611A 公开(公告)日: 2008-07-16
发明(设计)人: 帕特里克·M.·马克吉尼斯;伯纳尔德·P.·斯坦森 申请(专利权)人: 阿纳洛格装置公司
主分类号: H01C17/24 分类号: H01C17/24;H01C17/242
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 郭放
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 可调整 电阻器 以及 形成 调整 方法
【权利要求书】:

1.一种膜式电阻器,包括:

由电阻性材料制成的电阻膜,该电阻膜在第一端部和与之隔开的第二端部之间纵向延伸,并且具有在对置地隔开的第一和第二侧边之间延伸的对置地隔开的第一和第二主表面,该电阻膜适合于容纳第一和第二端部之间的电流,以及

低阻抗元件,该低阻抗元件电耦合到电阻膜,与设置于第一和第二端部之间的电阻膜的中间部分相邻,用以与电阻膜的中间部分平行地导通电流以减小中间部分中电流的电流密度,以便于调整该中间部分中的膜式电阻器的电阻值。

2.根据权利要求1所述的膜式电阻器,其中,低阻抗元件在电阻膜的第一和第二端部之间的方向上沿着中间部分的长度方向电耦合到电阻膜。

3.根据权利要求1或2所述的膜式电阻器,其中,低阻抗元件沿着中间部分与电阻膜的第一主表面相邻并且电耦合到电阻膜的第一主表面。

4.根据前述权利要求中任何一项所述的膜式电阻器,其中,低阻抗元件与中间部分相邻地与电阻膜层压在一起。

5.根据前述权利要求中任何一项所述的膜式电阻器,其中,低阻抗元件与中间部分相邻地覆盖电阻膜的第一主表面,并在电阻膜的被低阻抗元件所覆盖的整个区域上与电阻膜电耦合。

6.根据前述权利要求中任何一项所述的膜式电阻器,其中,低阻抗元件与电阻膜的第二侧边相邻地电耦合到电阻膜。

7.根据前述权利要求中任何一项所述的膜式电阻器,其中,低阻抗元件在电阻膜的与该电阻膜的第一侧边间隔开的位置处电耦合到电阻膜上,并在位于低阻抗元件和第一侧边之间的中间部分中限定可调整部分。

8.根据权利要求7所述的膜式电阻器,其中,膜式电阻器的电阻值可通过逐渐地在可调整部分中延伸调整狭槽来调整。

9.根据权利要求7或8中所述的膜式电阻器,其中,第一横断边缘在中间部分中以从电阻膜的第一侧边到低阻抗元件的大致方向延伸,第一横断边缘与第一侧边和低阻抗元件一起在可调整部分中限定了第一可调整区域。

10.根据权利要求9所述的膜式电阻器,其中,膜式电阻器的电阻值可通过逐渐地在第一可调整区域中延伸第一调整狭槽来调整。

11.根据权利要求10所述的膜式电阻器,其中,第一调整狭槽从第一横断边缘延伸到第一可调整区域中。

12.根据权利要求9到11的任一所述的膜式电阻器,其中,与第一横断边缘间隔开的第二横断边缘在中间部分中以从电阻膜的第一侧边到低阻抗元件的大致方向延伸,第二横断边缘与第一侧边和低阻抗元件在可调整部分中限定了第二可调整区域。

13.根据权利要求12所述的膜式电阻器,其中,第二横断边缘设置于第一横断边缘和电阻膜的第二端部之间。

14.根据权利要求12或13所述的膜式电阻器,其中,膜式电阻器的电阻值可通过逐渐地在第二可调整区域中延伸第二调整狭槽来调整。

15.根据权利要求14所述的膜式电阻器,其中,第二调整狭槽从第二横断边缘延伸到第二可调整区域中。

16.根据权利要求14或15所述的膜式电阻器,其中,第一和第二调整狭槽中的一个延伸到第一和第二可调整区域中相应的一个中以粗调膜式电阻器的电阻值,而第一和第二调整狭槽中的另一个延伸到第一和第二可调整区域中相应的一个中以细调膜式电阻器的电阻值。

17.根据权利要求12到16的任一所述的膜式电阻器,其中,电流密度在各个第一和第二可调整区域中向着电阻膜的第一侧边以及第一和第二横断边缘中相应的一个而逐渐地减小。

18.根据前述权利要求中任何一项所述的膜式电阻器,其中,电阻膜为伸长的电阻膜,该电阻膜在其第一和第二端部之间纵向延伸。

19.根据前述权利要求中任何一项所述的膜式电阻器,其中,低阻抗元件为伸长的低阻抗元件,该低阻抗元件以平行于电阻膜的大致方向纵向延伸。

20.根据前述权利要求中任何一项所述的膜式电阻器,其中,低阻抗元件的各个对置的端部被整形以将其端部附近的电流集聚最小化。

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