[发明专利]可调整膜式电阻器以及形成和调整膜式电阻器的方法

说明书

技术领域

本发明涉及膜式电阻器，特别涉及但不限于薄膜电阻器。本发明亦涉及包含有多个膜式电阻器的集成电路，并且本发明还涉及用于形成和调整膜式电阻器的方法，特别涉及但不限于用于在集成电路上形成和调整薄膜电阻器的方法。

背景技术

薄膜电阻器被普遍地用在集成电路中。一般来说，多个薄膜电阻器被形成于电绝缘衬底层上，该电绝缘衬底层一般为集成电路芯片上形成的氧化物层。通常，薄膜电阻器被形成于衬底层上的特定区域中以大体相互平行地延伸。希望薄膜电阻器被彼此之间靠近放置，这是因为两个重要原因：第一，使集成电路芯片上被薄膜电阻器占据的区域最小化，以最小化所需的整个裸片面积；第二，使薄膜电阻器上的工艺偏差(process variation)的影响最小化，这种工艺偏差可能导致失配和其它相关问题。

然而，即使将薄膜电阻器彼此靠近放置也无法完全避免可能导致相同芯片上以及不同芯片上电阻器的失配的工艺偏差的影响。因而，必须在薄膜电阻器被形成于集成电路芯片上之后进行薄膜电阻器电阻值的调整。因而，这要求为了便于薄膜电阻器电阻值的后续调整必须在薄膜电阻器的形成期间预作准备。

一种用于形成有助于后续调整的薄膜电阻器的方法要求，薄膜电阻器被形成有侧向突出的调整片(tab)，该调整片随后被调整以增加电阻器的电阻值。这样的现有技术的薄膜电阻器如附图1中所示，并用附图标记100表示。每个薄膜电阻器100被形成于电绝缘衬底101上，其一般由氧化物材料制成，诸如二氧化硅。薄膜电阻器可以是任何合适材料，比如，硅铬，其可以被掺杂或者未掺杂。薄膜电阻器一般通过物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)或溅射来形成，并且被沉积为一定深度，该深度维持恒定并取决于工艺。薄膜电阻器的长度和宽度由电阻器的所需电阻值来规定。一般来说，这样的薄膜电阻器被沉积到深达100埃的深度。薄膜电阻器100在各个电接触焊盘102和103的对之间延伸，并且每个薄膜电阻器100被配备有侧向突出的调整片104，以便于调整薄膜电阻器100的电阻值。为了最小化薄膜电阻器100之间的间隔，薄膜电阻器100被成对排列，让相邻的一对调整片104彼此面对并被沿着薄膜电阻器100的相应的长度方向交错地排列。

薄膜电阻器100上的调整片104的作用是减小流经与调整片104区域相邻的薄膜电阻器100的电流的电流密度，这样，调整片104的调整提供了相对高的精度(resolution)的调整。

每个薄膜电阻器100的调整通常通过逐渐地将调整狭槽(timming slot)105延伸到被调整薄膜电阻器100的调整片104中来实现。调整狭槽105由激光束形成，并且通常被形成以与薄膜电阻器100平行地延伸。由于事实上在与调整片104区域相邻的薄膜电阻器100中电流密度被减少，所以可以实现相对宽的电阻值调整范围，以及相对高的调整精度。

虽然近些年来用于将激光束对准要被调整的调整片104的对准技术已经被改进了，但是实际形成调整狭槽105的激光束的有效高能光斑(active high energy spot)仍然较大，因此，要点是相邻薄膜电阻器100的调整片之间间隔必须足以避免当激光束在薄膜电阻器100之一的调整片104中形成调整狭槽105时损害相邻薄膜电阻器100的任何危险。一般来说，高能激光斑的直径是3到5微米量级。因此，虽然薄膜电阻器之间的间隔可以通过排列薄膜电阻器100使相邻一对电阻器的调整片104彼此面对而被稍微减少，但是，薄膜电阻器100必须间隔开足够的距离以避免无意地调整与另一个其调整片104正在被调整的薄膜电阻器100相邻的薄膜电阻器100。

一般来说，一个薄膜电阻器100的调整片104和相邻薄膜电阻器100之间的横向距离A应该至少为9微米，而相邻薄膜电阻器100的调整片之间的纵向距离B应该为至少10微米量级。另外，每个薄膜电阻器100的调整片104离最近的电接触焊盘102或103的纵向距离C应该为至少9微米。

因此，虽然形成和调整薄膜电阻器的这种现有技术的方法提供了较宽的调整范围以及较高的调整精度，但是它仍要求薄膜电阻器之间较大的间隔，其反过来导致较大的裸片面积以容纳薄膜电阻器，并导致薄膜电阻器之间的潜在失配。

因此需要可以应对该问题的膜式电阻器。

本发明关注于提供膜式电阻器，其可以被与相邻的膜式电阻器相对靠近地放置，并且其可以随后被调整。本发明还关注于用于形成和调整这种膜式电阻器的方法；本发明还关注于提供集成电路，其包含多个形成于其上的膜式电阻器。

发明内容