[发明专利]保护在适于在等离子体处理系统中使用的基片支撑件中的粘结层的方法

权利要求书

1.一种保护适于在等离子体处理系统中使用的基片支撑件中的粘结层的方法，包括：

将基片支撑件的上部构件与基片支撑件的下部构件连接；

将粘结剂应用于所述上部构件的外部周界以及所述下部构件的上部周界；

围绕所述上部构件的外部周界和所述下部构件的上部周界设置保护环；以及

将所述保护环机械加工至最终尺寸。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述上部构件的外部周界具有下部法兰。

3.根据权利要求2所述的方法，进一步包括围绕所述下部法兰的外部周界设置所述保护环。

4.根据权利要求2所述的方法，进一步包括将所述保护环和所述上部构件机械加工至最终尺寸。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述上部构件和所述下部构件为圆柱形，并且所述下部构件具有大于所述上部构件的外径的外径。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述粘结剂为环氧树脂。

7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在围绕所述上部构件的外部周界设置所述环之前加热所述环。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述环由碳氟聚合物材料制成。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述上部构件包括具有下部法兰的铝板，所述外部周界位于所述法兰上。

10.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在所述上部构件和所述下部构件之间粘结加热配置。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述加热元件包括由第一绝缘层材料、加热层和第二绝缘层组成的层压板。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述上部构件包括电极，以及所述下部构件包括温度控制基板，所述温度控制基板具有在其上部的基座并且支撑所述上部构件的下部。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述环具有大于所述下部构件的外部周界的直径的外径，所述方法进一步包括机械加工所述环，使得所述环的外径对应于所述下部构件的外部周界的所述外径。

14.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在将所述环与所述上部和下部构件连接之前对所述环倒角。

15.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在所述环的上部表面机械加工出凹槽。

16.根据权利要求1所述的方法，进一步包括将基片支撑构件与所述上部构件的上部表面粘结。

17.一种在等离子体处理系统中保护粘结层的方法，包括：

将上部构件与下部构件连接，所述上部构件具有层压于所述上部构件的下部表面的加热配置；

将粘结剂应用于所述上部构件的外部周界和所述下部构件的上部周界；

围绕所述上部构件的外部周界和所述下部构件的上部周界设置碳氟聚合物材料环；以及

将所述碳氟聚合物材料环机械加工至最终尺寸。

18.根据权利要求17所述的方法，进一步包括将所述碳氟聚合物材料环和上部构件机械加工至最终尺寸。

19.根据权利要求17所述的方法，其中，所述上部构件和所述下部构件是圆柱形，并且所述下部构件具有大于所述上部构件的外径的外径。

20.根据权利要求17所述的方法，其中，所述粘结剂是环氧树脂。

21.根据权利要求17所述的方法，进一步包括在围绕所述上部构件的外部周界设置所述碳氟聚合物材料环之前加热所述碳氟聚合物材料环。

22.根据权利要求17所述的方法，其中所述上部构件包括具有下部法兰的铝板，所述外部周界位于所述法兰上。

23.根据权利要求17所述的方法，其中，所述加热配置包括由第一绝缘层、加热层和第二绝缘层组成的层压板。

24.根据权利要求17所述的方法，其中，所述上部构件包括电极，以及所述下部构件进一步包括在其上部的基座，所述基座支撑所述上部构件的下部。