[发明专利]激光加工方法及激光加工装置

说明书

技术领域

本发明是有关一种为了沿着切断预定线来切断加工对象物所使用的激光加工方法及激光加工装置。

背景技术

作为公知的如上激光加工方法，有如下方法，即通过使聚光点对准加工对象物的内部并照射激光，在加工对象物的内部沿着切断预定线形成成为切断的起点的改质区域(例如参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2004-179302号公报

发明内容

但是，如果使用如上述的激光加工方法，以改质区域作为切断的起点来切断加工对象物时，会有在切断面出现扭梳纹(twist haCklE)，在切断面产生弯曲和凹凸等，切断面的平坦度受损的问题。

于是，本发明是有鉴于如上事情的发明，其目的在于提供一种可提升以改质区域为切断的起点来切断加工对象物时的切断面的平坦度的激光加工方法及激光加工装置。

为了达成上述目的，本发明的激光加工方法，通过使聚光点对准加工对象物的内部并照射激光，而沿着加工对象物的切断预定线，在加工对象物的内部形成成为切断的起点的改质区域，其特征在于：通过照射规定的激光而形成规定的改质区域，该规定的激光在聚光点上具有，垂直于切断预定线的方向的最大长度比平行于切断预定线的方向的最大长度短的截面形状。

在该激光加工方法中，使聚光点上的规定的激光的截面形状(垂直于光轴的截面形状)为，垂直于切断预定线的方向的最大长度，比平行于切断预定线的方向的最大长度短的形状。因此，形成在加工对象物的内部的规定的改质区域的形状，由激光的入射方向观看，成为垂直于切断预定线的方向的最大长度，比平行于切断预定线的方向的最大长度短的形状。在加工对象物的内部形成具有上述形状的规定的改质区域，在以改质区域为切断的起点来切断加工对象物时，可抑制切断面出现扭梳纹，就能提升切断面的平坦度。

而且，使聚光点对准加工对象物的内部并照射激光，从而在加工对象物的内部产生多光子吸收以外的光吸收，并由此形成成为切断的起点的改质区域。

在本发明的激光加工方法中，优选通过形成规定的改质区域，从规定的改质区域向加工对象物的激光入射面产生沿着切断预定线的裂缝。如上述，规定的改质区域的形状，由激光的入射方向观看，为垂直于切断预定线的方向的最大长度比平行于切断预定线的方向的最大长度短的形状，故对于从规定的改质区域向加工对象物的激光入射面产生的裂缝，可抑制扭梳纹的出现。因而，能抑制裂缝成为蛇行，或者以裂痕状行进，使裂缝大致直线行进，可提升以改质区域为切断的起点切断加工对象物时的切断面的平坦度。再者，在加工对象物的厚度薄时，在从规定的改质区域向加工对象物的激光入射面生成沿着切断预定线的裂缝时，能以改质区域为切断的起点，确实地切断加工对象物。

在本发明的激光加工方法中，优选在加工对象物的内部形成改质区域后，以改质区域为切断的起点，沿着切断预定线，切断加工对象物。由此可使加工对象物沿着切断预定线精度良好地切断。

在本发明的激光加工方法中，存在加工对象物具备半导体基板，改质区域包含溶融处理区域的情形。

根据本发明，就能提升以改质区域为切断的起点切断加工对象物时的切断面的平坦度。

附图说明

图1是根据本实施方式的激光加工方法的激光加工中的加工对象物的平面图。

图2是沿着图1所示的加工对象物的II-II线的剖面图。

图3是根据本实施方式的激光加工方法的激光加工后的加工对象物的平面图。

图4是沿着图3所示的加工对象物的IV-IV线的剖面图。

图5是沿着图3所示的加工对象物的V-V线的剖面图。

图6是根据本实施方式的激光加工方法所切断的加工对象物的平面图。

图7是表示根据本实施方式的激光加工方法的电场强度与裂痕点的大小的关系的图。

图8是本实施方式的激光加工方法的第1工序的加工对象物的剖面图。

图9是本实施方式的激光加工方法的第2工序的加工对象物的剖面图。

图10是本实施方式的激光加工方法的第3工序的加工对象物的剖面图。

图11是本实施方式的激光加工方法的第4工序的加工对象物的剖面图。

图12是表示根据本实施方式的激光加工方法所切断的硅晶片的一部分的截面照片的图。

图13是表示本实施方式的激光加工方法的激光的波长与硅基板内部的透过率的关系的图。

图14是本实施方式的激光加工方法的加工对象物的平面图。

图15是沿着图14所示的加工对象物的XV-XV线的部分剖面图。