[发明专利]在紧凑模型中用于基于版图调整和优化氮化物衬垫应力效应的方法

权利要求书

1.一种用于对晶体管进行建模的方法，所述晶体管具有一个或多个提供晶体管应力效应的衬垫薄膜(260)，所述方法包括下列步骤：

a)将物理的晶体管设计信息的表示转换为对应于所述晶体管的实际形状尺寸(310)，

b)将实际形状尺寸转换为由所述一个或多个衬垫薄膜贡献的晶体管应力水平(343)；以及

c)生成在对包括所述晶体管的电路进行建模中所使用的紧凑模型参数(345，346)，所述紧凑模型参数包括当对所述晶体管进行建模时在量化应力效应的影响中所使用的以及基于计算的应力水平的模型参数。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述步骤a)包括提取所述晶体管的依赖于版图的特征的步骤，所述依赖于版图的特征被用来生成所述实际形状尺寸。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述提取所述晶体管的依赖于版图的特征的步骤包括下列步骤：

d)实现桶结构，所述桶结构具有对应于与所述晶体管的栅极结构相关联的参考位置的第一边缘；

e)扩展所述桶结构的一个或多个附加边缘，以检测在所述栅极结构的附近区域的特征，所述附近区域由所述桶结构的所述第一边缘和一个或多个附加边缘所定义；以及

f)生成表示在所述附近区域检测到的所述特征的版图的实例参数。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述步骤e)包括下列步骤：相对于所述参考位置，在所述栅极结构的相反方向上扩展所述桶结构的所述一个或多个附加边缘，以检测在所述附近区域中的特征。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述步骤f)包括下列步骤：测量在所述附近区域中检测到的版图形状的面积、周长和顶点计数中的一个或多个。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述版图形状包括本地互连金属接触形状。

7.根据权利要求5所述的方法，其中所述版图形状包括本地多晶硅结构。

8.根据权利要求5所述的方法，其中所述步骤f)包括下列步骤：测量从所述栅极结构到应用于所述晶体管的一个或多个应力衬垫薄膜之间的界面的距离，所述实例参数包括所述测量的距离。

9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括下列步骤：重复步骤a)-f)，以针对电路中的每个晶体管生成实例参数和所测量的应力衬垫薄膜界面距离，其中所述晶体管的性能将要被建模。

10.根据权利要求9所述的方法，进一步包括下列步骤：将表示针对晶体管生成的所述依赖于版图的特征的所述实例参数写入到界面，所述界面适合于与计算所述晶体管承受的应力的紧凑模型工具进行通信。

11.根据权利要求9所述的方法，进一步包括下列步骤：

将所生成的表示所述依赖于版图的特征的实例参数压缩为压缩的版图格式，并将所述压缩的版图格式传送到计算所述晶体管承受的应力的紧凑模型工具。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述将所生成的表示所述依赖于版图的特征的实例参数压缩为压缩的版图格式并将所述压缩的版图格式传送到计算所述晶体管承受的应力的紧凑模型工具的步骤包括：将包括表示所述依赖于版图的特征的形状坐标列表的版图形状信息直接传送到所述紧凑模型工具中。

13.根据权利要求10所述的方法，进一步包括步骤：扫描所述实例参数，以计算矩形形状结构的大小和位置，其中所述实例参数是利用从扩展的相邻桶结构获得的信息而针对晶体管生成的。

14.根据权利要求10所述的方法，进一步包括步骤：扫描所述实例参数，以重组在所述栅极结构的所述附近区域中的复杂形状结构，其中所述实例参数是利用从扩展的相邻桶结构获得的信息而针对晶体管生成的。

15.根据权利要求10所述的方法，进一步包括步骤：编译形状尺寸和位置以及应力衬垫薄膜界面距离的列表，以为每个晶体管栅极器件计算所述晶体管应力水平。

16.根据权利要求1所述的方法，其中所述紧凑模型参数包括被调整以考虑衬垫应力影响的沟道载流子迁移率。

17.根据权利要求1所述的方法，进一步包括步骤：根据紧凑模型参数计算在包括所述晶体管的电路的仿真中使用的电路级参量。