[发明专利]可编程逻辑阵列和可编程逻辑阵列模块生成器无效

专利信息
申请号: 200680028290.4 申请日: 2006-08-01
公开(公告)号: CN101233688A 公开(公告)日: 2008-07-30
发明(设计)人: 桂昭仁 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H03K19/173 分类号: H03K19/173
代理公司: 北京市金杜律师事务所 代理人: 季向冈
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 可编程 逻辑 阵列 模块 生成器
【权利要求书】:

1.一种可编程逻辑阵列,包括:

输入平面,其具有多条数据线和电压电平根据对上述多条数据线的信号输入而变化的多条积项线;以及

输出平面,其具有电压电平根据上述输入平面上的多条积项线的电压电平变化而变化的多条积项线和输出与该多条积项线的电压电平对应的信号的多条数据线,

上述可编程逻辑阵列的特征在于,

在上述输入平面和上述输出平面的至少一方上的上述多条数据线的至少一条的两端上具备数据端子。

2.根据权利要求1所述的可编程逻辑阵列,其特征在于,

上述输入平面具有进行上述输入平面上的上述多条积项线的预充电的预充电电路,

上述预充电电路设在上述多条积项线的长度方向的中间位置上。

3.根据权利要求1所述的可编程逻辑阵列,其特征在于,

上述输出平面具有进行上述输出平面上的上述多条数据线的预充电的预充电电路,

上述预充电电路设在上述多条数据线的长度方向的中间位置上。

4.根据权利要求1所述的可编程逻辑阵列,其特征在于,

上述输入平面具备针对上述输入平面上的上述多条数据线的至少一条,生成输入该数据线的信号的翻转和非翻转的缓冲器电路,

上述数据线为传输上述生成的翻转信号和非翻转信号的对线。

5.根据权利要求1所述的可编程逻辑阵列,其特征在于,

上述输入平面和输出平面的至少一方上的上述多条数据线分别设在与相邻的数据线不同的布线层上。

6.根据权利要求5所述的可编程逻辑阵列,其特征在于,

上述多条数据线的至少一条为扩散层布线。

7.根据权利要求1所述的可编程逻辑阵列,其特征在于,

包括:事件产生存储电路,其存储根据所提供的信号来转变的状态,并且在存储内容发生变化时产生事件;以及

事件驱动接口,其在从上述事件产生存储电路接收到事件时,评价上述事件产生存储电路的存储内容而输出评价结果,其中,

上述事件产生存储电路接收输入上述输入平面的信号,

上述事件驱动接口向上述输入平面上的上述多条数据线提供上述评价结果。

8.根据权利要求1所述的可编程逻辑阵列,其特征在于,

包括:事件产生存储电路,其存储根据所提供的信号来转变的状态,并且在存储内容变化时产生事件;以及

事件驱动接口,其在从上述事件产生存储电路接收到事件时,评价上述事件产生存储电路的存储内容而输出评价结果,

上述事件产生存储电路接收从上述输入平面上的上述多条积项线所输出的信号,

上述事件驱动接口向上述输出平面上的上述多条积项线提供上述评价结果。

9.根据权利要求8所述的可编程逻辑阵列,其特征在于,

包括多个上述输入平面和事件产生存储电路,

上述多个事件产生存储电路分别接收从上述多个输入平面上的上述多条积项线分别输出的信号,

上述事件驱动接口在从上述多个事件产生存储电路的任一个接收到事件时,评价上述多个事件产生存储电路的存储内容而向上述输出平面上的上述多条积项线提供评价结果。

10.根据权利要求7或8所述的可编程逻辑阵列,其特征在于,

上述事件驱动接口包括:

预充电电路,其根据使上述事件延迟的信号,以所提供的电压对该事件驱动接口的预定节点进行预充电;

第一电压提供电路,其在所述事件输出存储电路的存储内容从第一值变化为第二值时所产生的事件处于活性状态时,向上述预充电电路提供第一电压;以及

第二电压提供电路,其在上述事件输出存储电路的存储内容从第二值变化为第一值时产生的事件处于活性状态时,向上述预充电电路提供低于上述第一电压的第二电压。

11.根据权利要求1所述的可编程逻辑阵列,其特征在于,

构成该可编程逻辑阵列的MOS器件形成在SOI晶片上。

12.一种可编程逻辑阵列模块生成器,其特征在于,

包括:

文件读入部,其读入可编程逻辑阵列的逻辑记述文件;

真值表分类部,其针对通过上述逻辑记述文件记述的可编程逻辑阵列的输入平面和输出平面的至少一方上的多条数据线,进行数据线的替换,以使形成有相对较多的晶体管的数据线和形成有相对较少的晶体管的数据线相邻;

基底布局生成部,其根据上述数据线替换后的逻辑记述文件来生成基底布局;

输入平面编程部,其根据上述数据线替换后的逻辑记述文件来进行输入平面的阵列配置;以及

输出平面编程部,其根据上述数据线替换后的逻辑记述文件来进行输出平面的阵列配置。

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