[发明专利]沉积耐刮擦膜的方法

权利要求书

1.一种用于在基板上真空沉积至少一个硼基薄膜的方法，其特征在于：

—选择至少一种相对于硼化学惰性或活泼的溅射物种；

—使用位于工业级装置内的至少一个线性离子源产生主要包含所述溅射物种的准直离子束；

—将所述束导向至少一个硼基靶之上；并且

—将面向所述靶的所述基板的至少一个表面部分布置为使被靶的离子轰炸而溅射的所述材料，或源自所述溅射材料与至少一种溅射物种的反应而得到的材料沉积在所述表面部分上。

2.权利要求1的方法，其特征在于，进行导致离子沉积源和基板之间产生相对运动的操作。

3.权利要求1或2的方法，其特征在于，所述线性离子源产生的准直离子束能量为0.2-10kev，优选为1-5kev，尤其是约1.5kev。

4.前述权利要求之一的方法，其特征在于，进行使所述装置内的压力达到10^-5-8×10^-3托的操作。

5.前述权利要求之一的方法，其特征在于，使所述离子束和靶之间的角度α为90°-30°，优选为60°-45°。

6.前述权利要求之一的方法，其特征在于，将使用至少所述线性离子沉积源溅射的材料同时或相继地沉积在基板的两个不同表面部分上。

7.前述权利要求之一的方法，其特征在于，将使用至少所述线性离子沉积源溅射的材料沉积在基板的至少一个裸露表面部分上。

8.权利要求1-6之一的方法，其特征在于，将使用至少所述线性离子沉积源溅射的材料沉积在至少部分涂布有至少一个其它膜的至少一个基板部分上。

9.前述权利要求之一的方法，其特征在于，将另外的物种作为对所述溅射物种的补充物引入，所述另外的物种相对于所述溅射材料是化学活泼的，该另外的物种通过例如在接近基板时加入所述另外的物种的气体注射而得到。

10.前述权利要求之一的方法，其特征在于，注射的另外的物种包含单独使用的、或可以以与少部分CH₄和/或H₂的混合物使用的氮气或氩气。

11.前述权利要求之一的方法，其特征在于，使用了包含选自以下组的材料的靶：无定型的硼、立方体形式结晶的硼、六边形形式结晶的硼、铝、硅、无定型的氮化硼、六边形形式结晶的氮化硼、立方体形式结晶的氮化硼、氮化硅、氮化铝及至少这些材料的混合氮化物，所述材料被单独使用或以混合物使用。

12.前述权利要求之一的方法，其特征在于，将所述靶偏置，以便调节溅射物种的能量。

13.权利要求11或12的方法，其特征在于，所述偏置的靶被固定于阴极磁控管。

14.前述权利要求之一的方法，其特征在于，将离子中和装置布置在附近，其可以由放置在附近的阴极磁控管组成。

15.前述权利要求之一的方法，其特征在于，使用了第二离子源，将该离子源的离子束导向所述基板之上。

16.一种基板，尤其是玻璃基板，在其至少一个表面部分之上涂布有薄膜多层，该薄膜多层包括尤其基于银的交替的n个功能层A，其具有在红外和/或日光辐射中的反射性能，以及(n+1)个涂层B，其中n≥1，所述涂层B包括尤其基于氮化硅或基于硅和铝的混合物、或基于氧氮化硅、或基于氧化锌、或基于氧化锡或基于氧化钛的介电材料制得的薄膜或重叠薄膜，使得各功能层A布置在两个涂层B之间，所述多层还包括尤其基于钛、镍-铬或锆的可见光中的至少一个金属层C，所述膜可以是氮化物或氧化物形式的，并且位于所述功能膜之上和/或之下，其特征在于，所述多层最后的膜由基于选自以下组的材料的至少一个终端膜所覆盖：无定型的氮化硼、六边形形式结晶的氮化硼、立方体形式结晶的氮化硼、氮化硅、氮化铝及至少这些材料的混合氮化物，所述材料被单独使用或以混合物使用，该终端膜通过权利要求1-15之一的方法沉积。