[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件(10)，其具有衬底(12)和硅半导体主体(11)，该半导体器件包括双极晶体管，该双极晶体管具有分别是第一导电类型的发射极区域(1)、与第一导电类型相反的第二导电类型的基极区域(2)和所述第一导电类型的集电极区域(3)，包括集电极区域或发射极区域的第一半导体区域(3)被形成在半导体主体(11)中，在该半导体主体的顶部出现的是包括基极区域(2)的第二半导体区域(2)，在该第二半导体区域顶部出现的是包括所述的集电极区域和发射极区域中另外一个的第三半导体区域(1)，所述半导体主体(11)在第一和第二半导体区域(3，2)之间的过渡位置处被提供了压缩层，该压缩层是通过掩埋在半导体主体(11)中的电绝缘区域(26，27)形成的，该半导体器件的特征是：在掩埋的电绝缘区域上形成的半导体主体(11)的部分是单晶体。

2.按照权利要求1所述的半导体器件(10)，其特征是：第二半导体区域(2)被提供了至少一个位于掩埋的电绝缘区域(26，27)上的电连接部分(200)。

3.按照权利要求1或2所述的半导体器件(10)，其特征是：具有层状结构的第二半导体区域(2)在台面型的第三半导体区域(1)两侧上的厚度比在第三半导体区域(1)下面的厚度大。

4.按照权利要求1、2或3任一所述的半导体器件(10)，其特征是：半导体主体(11)包括另外的埋置的或掩埋的电绝缘区域(16，17)，从投影图上看，所述电绝缘区域(16，17)以比掩埋的电绝缘区域(26，27)大的距离与第三半导体区域(1)隔离开。

5.按照权利要求4所述的半导体器件(10)，其特征是：所述另外的埋置的或掩埋的电绝缘区域(16，17)具有比掩埋的电绝缘区域(26，27)大的厚度。

6.按照前述权利要求中的任何一项所述的半导体器件(10)，其特征是：半导体主体(11)包括在压缩层位置处的SiGe混合晶体。

7.按照权利要求6所述的半导体器件(10)，其特征是：所述压缩层位于第二半导体区域(2)中。

8.按照前述权利要求中的任何一项所述的半导体器件(10)，其特征是：第一半导体区域(3)包括集电极区域(3)，而第三半导体区域(1)包括发射极区域(1)。

9.按照权利要求8所述的半导体器件(10)，其特征是：基极区域(2)，优选地还有集电极区域(3)，在发射极区域(1)的任一侧被提供了双电连接部分。

10.一种半导体器件的制造方法，该半导体器件带有衬底(12)和硅半导体主体(11)，该半导体器件被提供了双极晶体管，该双极晶体管具有分别是第一导电类型的发射极区域(1)、与第一导电类型相反的第二导电类型的基极区域(2)和所述第一导电类型的集电极区域(3)，其中，包括集电极区域(2)或发射极区域的第一半导体区域(3)被形成在半导体主体(11)中，在该半导体主体的顶部形成的是包括基极区域的第二半导体区域(2)，在该第二半导体区域顶部形成的是包括所述的集电极区域和发射极区域中另外一个的第三半导体区域(1)，其中，所述半导体主体(11)在第一和第二半导体区域(3，2)之间的过渡位置处被提供了压缩层，该压缩层是通过形成在半导体主体(11)中掩埋的电绝缘区域(26，27)形成的，该半导体器件的制造方法的特征是：在掩埋的电绝缘区域(26，27)上存在的半导体主体(11)的部分是以单晶体的方式形成的。

11.按照权利要求10所述的方法，其特征是：在形成掩埋的电绝缘区域(26，27)的位置形成硅和锗混合晶体的区域，通过选择性刻蚀可以去除掉该区域，在此之后，用电绝缘材料填充所形成的腔(26A，27A)。

12.按照权利要求11所述的方法，其特征是：处在掩埋的电绝缘区域(26，27)之上的半导体主体(11)的部分是通过外延生长在形成硅和锗混合晶体以使其去除的区域的顶部形成的。

13.按照权利要求10、11或12所述的方法，其特征是：第二半导体区域(2)被提供了至少一个电连接部分(200)，该电连接部分被形成在掩埋的电绝缘区域(26，27)上。