[发明专利]使用沸石MTT和GON的脱蜡方法

权利要求书

1、脱蜡方法，包括使烃原料在脱蜡条件下与催化剂接触，所述催化剂包含具有MTT和GON骨架拓扑结构的沸石的组合，所述骨架拓扑结构由它们的四面体原子的连接方式定义。

2、权利要求1的方法，其中所述沸石主要为氢型。

3、权利要求1的方法，其中所述催化剂还包含至少一种第VIII族金属。

4、权利要求1的方法，其中所述原料是光亮油。

5、权利要求1的方法，其中所述原料源自费托工艺。

6、权利要求1的方法，其中所述MTT和GON沸石的晶体尺寸小于0.1微米。

7、改进蜡质烃原料的脱蜡产物的粘度指数的方法，包括使蜡质烃原料在异构脱蜡条件下与催化剂接触，所述催化剂包含具有MTT和GON骨架拓扑结构的沸石的组合，所述骨架拓扑结构由它们的四面体原子的连接方式定义。

8、权利要求7的方法，其中所述沸石主要为氢型。

9、权利要求7的方法，其中所述催化剂还包含至少一种第VIII族金属。

10、由C₂₀₊烯烃原料生产C₂₀₊润滑油的方法，包括使所述烯烃原料在异构化条件下在催化剂上进行异构化，所述催化剂包含具有MTT和GON骨架拓扑结构的沸石的组合，所述骨架拓扑结构由它们的四面体原子的连接方式定义。

11、权利要求10的方法，其中所述沸石主要为氢型。

12、权利要求10的方法，其中所述催化剂还包含至少一种第VIII族金属。

13、在高于约350℉(177℃)下沸腾且含直链和略微支链烃的烃油原料的催化脱蜡方法，包括使所述烃油原料在外加氢气的存在下在约15～3000psi的氢压下在脱蜡条件下与催化剂接触，所述催化剂包含具有MTT和GON骨架拓扑结构的沸石的组合，所述骨架拓扑结构由它们的四面体原子的连接方式定义。

14、权利要求13的方法，其中所述沸石主要为氢型。

15、权利要求13的方法，其中所述催化剂还包含至少一种第VIII族金属。

16、残油的异构化脱蜡方法，包括使所述残油在外加氢气存在下在异构脱蜡条件下与催化剂接触，所述催化剂包含具有MTT和GON骨架拓扑结构的沸石的组合，所述骨架拓扑结构由它们的四面体原子的连接方式定义。

17、权利要求16的方法，其中所述沸石主要为氢型。

18、权利要求16的方法，其中所述催化剂还包含至少一种第VIII族金属。

19、权利要求16的方法，其中所述残油是光亮油。

20、降低烃原料浊点的方法，包括使大部分在高于1000℉(538℃)下沸腾的烃油原料与催化剂体系接触，所述催化剂体系包含具有MTT拓扑结构的沸石和具有GON拓扑结构的沸石的组合，其中至少一部分所述原料发生转化。

21、权利要求20的方法，其中所述催化剂体系还包含加氢组分。

22、权利要求20的方法，其中将所述原料的浊点降低到不高于10℃。

23、权利要求21的方法，其中所述加氢组分包含第VIII族金属。

24、权利要求23的方法，其中所述第VIII族金属选自铂、钯和它们的混合物。

25、权利要求20的方法，其中所述方法是脱蜡方法，且其中所述接触在脱蜡条件下进行。

26、权利要求20的方法，其中所述烃油是光亮油。

27、权利要求20的方法，其中所述烃油源自费托蜡。

28、权利要求20的方法，其中所述方法在外加氢气的存在下进行。

29、权利要求20的方法，其中所述MTT和GON沸石是硅铝酸盐。

30、权利要求20的方法，其中所述MTT和GON沸石的晶体尺寸小于约0.1微米。