[发明专利]使用沸石MTT和GON的脱蜡方法无效
申请号: | 200680028633.7 | 申请日: | 2006-08-01 |
公开(公告)号: | CN101238200A | 公开(公告)日: | 2008-08-06 |
发明(设计)人: | T·L·M·梅森;B·斯米特;E·贝尔德森 | 申请(专利权)人: | 切夫里昂美国公司 |
主分类号: | C10G35/04 | 分类号: | C10G35/04 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 孙爱 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 mtt gon 方法 | ||
发明背景
本申请要求2005年8月4日提交的美国临时申请系列号60/706,134的利益。
发明领域
本发明涉及采用沸石MTT和GON的组合作为催化剂对烃原料进行脱蜡的方法。
背景技术
由于结晶分子筛和沸石独特的筛分特性以及催化性能,它们在应用中如烃转化(包括烃原料的脱蜡)中是尤其有用的。沸石还可以用来降低原料例如光亮油的浊点。(参见,例如,2000年4月18日授予Harris等人的美国专利No.6,051,129,其中沸石EU-1与ZSM-48和/或SSZ-32组合用于降低光亮油的浊点。该专利内容全部在此引入作为参考。)尽管已经公开了很多不同的结晶分子筛,但是持续需要在烃和化学转化以及其它用途方面具有合意性能的新型沸石。
发明概述
根据本发明,提供了脱蜡方法,包括使烃原料在脱蜡条件下与催化剂接触,所述催化剂包含具有MTT和GON骨架拓扑结构(本文简单称作MTT和GON)的沸石组合,所述骨架拓扑结构由它们的四面体原子的连接方式定义。该MTT和GON沸石优选主要为氢型。
本发明还包括改进蜡质烃原料的脱蜡产物的粘度指数的方法,包括使蜡质烃原料在异构脱蜡条件下与催化剂接触,所述催化剂包含优选主要为氢型的沸石MTT和GON的组合。
本发明还包括由C20+烯烃原料生产C20+润滑油的方法,包括在异构化条件下在催化剂上对所述烯烃原料进行异构化,其中所述催化剂包含至少一种第VIII族金属和沸石MTT与GON的组合。所述沸石可主要为氢型。
根据本发明,还提供对在约350℉以上沸腾且含直链和略微支链烃的烃油原料进行催化脱蜡的方法,包括使所述烃油原料在外加氢气存在下在约15~3000psi的氢压下与催化剂接触,其中所述催化剂包含至少一种第VIII族金属和优选主要为氢型的沸石MTT与GON的组合。
本发明还包括残油异构脱蜡方法,包括使所述残油在外加氢气存在下与催化剂接触,其中所述催化剂包含至少一种第VIII族金属和沸石MTT与GON的组合。所述残油可以是光亮油,和所述沸石可主要为氢型。
本发明还提供降低烃原料浊点的方法,包括使大部分在高于1000℉(538℃)下沸腾的烃油原料与催化剂体系接触,其中所述催化剂体系包含具有MTT拓扑结构的沸石与具有GON拓扑结构的沸石的组合,其中至少一部分所述原料发生转化。
发明详述
在加氢脱蜡中,一个目标是加氢转化原料中最长的烃。如果这些烃剩下未被转化,它们会导致产物浑浊。浑浊度用浊点来定量表示。
正构烷烃的吉布斯(Gibbs)吸附自由能定量表示了特定沸石结构选择性吸附和转化正构烷烃的能力。为了降低浊点,使用这样的沸石是有利的,与短正构烷烃相比,该沸石赋予长正构烷烃显著更低的吉布斯吸附自由能。
吉布斯吸附自由能可以一致地准确测定。这些测定的例子在“Journal ofPhysical Chemistry B”(2004),108(33),12301-12313中有描述。这些测定表明,对于MTT型沸石,长正构烷烃的吸附与转化与短正构烷烃之间的吸附和转化的差异很小。GON型沸石显示出长正构烷烃和短正构烷烃的吉布斯吸附自由能的最大差异。令人惊讶的是,这些沸石的吉布斯吸附自由能对正构烷烃链长度的变化表现出显著的差异。通过在MTT型沸石中添加入GON型沸石,可显著增加重蜡(长正构烷烃)的转化,因此降低了产物的浊点。
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