[发明专利]电路连接结构体及其制造方法以及电路连接结构体用的半导体基板无效
| 申请号： | 200680030441.X | 申请日： | 2006-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN101243548A | 公开（公告）日： | 2008-08-13 |
| 发明（设计）人： | 金谷雄一;田中俊明;板桥俊明 | 申请（专利权）人： | 日立化成杜邦微系统股份有限公司;日立化成工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电路 连接 结构 及其 制造 方法 以及 体用 半导体 | ||
1.一种电路连接结构体的制造方法，其特征在于，包括：
使用含有从氮气、氨气及肼气体构成的组中选择的至少一种气体的氮系气体，对表面具有耐热性树脂膜及第一电路电极的半导体基板进行等离子处理，从而进行表面改性处理的工序；
使所述已进行表面改性处理的半导体基板、和在表面具有与所述第一电路电极对置的第二电路电极的电路构件隔着电路粘接构件，以所述第一及第二电路电极对置的方式进行配置的工序；以及
将所述半导体基板及所述电路构件进行压接，使所述半导体基板及所述电路构件进行粘接，且将对置的所述第一及第二电路电极彼此进行电连接的压接工序。
2.根据权利要求1所述的电路连接结构体的制造方法，其特征在于，
所述电路粘接构件含有导电性粒子，且所述第一及第二电路电极经由所述导电性粒子进行电连接。
3.根据权利要求1所述的电路连接结构体的制造方法，其特征在于，
所述氮系气体是还包含氢气或惰性气体的混合气体。
4.根据权利要求3所述的电路连接结构体的制造方法，其特征在于，
所述氮系气体的比率相对所述混合气体为20～100容积％。
5.根据权利要求1所述的电路连接结构体的制造方法，其特征在于，
所述耐热性树脂膜为由从聚酰胺、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚苯并唑、聚苯并咪唑及苯并环丁烯构成的组中选择的至少二种的共聚物，或从所述组中选择的至少一种的前体构成的膜。
6.根据权利要求1所述的电路连接结构体的制造方法，其特征在于，
所述等离子处理是在0.5Pa到常压范围的压力下进行。
7.根据权利要求1所述的电路连接结构体的制造方法，其特征在于，
所述半导体基板为半导体元件。
8.根据权利要求1所述的电路连接结构体的制造方法，其特征在于，
所述电路构件为玻璃基板、金属基板或陶瓷基板。
9.根据权利要求1所述的电路连接结构体的制造方法，其特征在于，
所述电路粘接构件为粘接薄膜或粘接膏。
10.根据权利要求9所述的电路连接结构体的制造方法，其特征在于，
所述粘接薄膜或粘接膏含有环氧系树脂。
11.一种电路连接结构体，其特征在于，
所述电路连接结构体是利用权利要求1所述的电路连接结构体的制造方法进行制造的。
12.一种电路连接结构体用的半导体基板，其特征在于，
所述半导体基板在表面具有耐热性树脂膜及第一电路电极，使用含有从氮气、氨气及肼气体构成的组中选择的至少一种气体的氮系气体，利用等离子处理施行了表面改性处理。
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