[发明专利]电路连接结构体及其制造方法以及电路连接结构体用的半导体基板

说明书

技术领域

本发明是关于一种在液晶显示装置等中使用的电路连接结构体及其制造方法以及电路连接结构体用的半导体基板。更详细地说，是关于一种利用电路粘接构件将半导体基板和电路构件进行粘接，且进行电连接的电路连接结构体及其制造方法以及电路连接结构体用的半导体基板。

背景技术

随着半导体芯片和电子部件的小型薄型化、液晶显示装置的高精细化，它们所使用的电路和电极正在高密度、高精细化。这种微细电极的连接因为难以利用焊锡(solder)进行连接，所以最近大多是采用使用粘接剂的方法。

作为使用粘接剂的连接方法，已知有：例如在专利文献1中举出的如下所述的方法，即利用使碳、镍、金属被覆塑料粒子等导电性粒子分散在绝缘性粘接剂中的各向异性导电性的粘着剂或膜状物，通过加热加压，在粘接剂的厚度方向得到电连接的ACF(＝各向异性导电性薄膜，以下称为ACF)方法；例如在专利文献2中举出的如下所述的方法，即，不利用导电性粒子而在连接时进行压接，并利用电极面的微细凹凸的直接接触来得到电连接的NCF(＝非导电性薄膜，以下称为NCF)法。

近年来，作为介入ACF的电极半导体基板用途，利用根据COG(ChipOn Glass)方式或COF(Chip On Film)方式进行着液晶驱动用IC的安装。在驱动用IC表面上，广泛地应用聚酰亚胺膜或聚苯并唑膜等耐热性树脂组合物。在耐热性树脂组合物和ACF、NCF等粘接薄膜之间需要具有优良的粘接性，特别是作为安装后的芯片，则需要对耐冷热循环试验或高温高湿试验的可靠性高的粘接性。

提高作为耐热性树脂的聚酰亚胺膜和ACF间的粘接性的方法包括，在专利文献3中记载的有关通过对聚酰亚胺膜进行等离子处理而使粘接性提高的技术。另外，在专利文献4中，也记载有有关通过对聚酰亚胺膜进行低温等离子处理而使粘着性提高的技术。

专利文献1：特开昭55-104007号公报

专利文献2：特开昭60-262430号公报

专利文献3：特开2003-73862号公报

专利文献4：特开2003-163451号公报

但是，在专利文献3中，具体所公开的处理气体的种类只有氧气，而关于安装后的芯片，则完全没有有关对耐冷热循环试验和高温高湿试验的可信性高的粘接性的记载。另外，在专利文献4中，具体所公开的处理气体的种类只有氧气，而关于安装后的芯片，则完全没有有关对耐冷热循环试验或高温高湿试验的可信性高的粘接性的记载。实际上，对于氧气而言，存在无法实现该粘接性的长期的改善效果的问题。

发明内容

本发明是为了解决以上所述的以往问题的发明，其目的在于提供一种不是在耐热性树脂组合物的表面上设置物理性的凹凸或者使表面呈疏水性而防止吸湿劣化来改善粘接性，而是利用追加的表面处理在耐热性树脂膜中导入化学上稳定的官能基来改善粘接性，且即使在高温高压下使用中，也可以在耐热性树脂膜和电路粘接构件之间呈现优良的粘接性的电路连接结构体及其制造方法以及电路连接结构体用的半导体基板。

为了解决上述课题并达成目的，利用本发明的电路连接结构体的制造方法具有如下所述的特征，即，所述电路连接结构体的制造方法包括：使用含有从氮气、氨气及肼气体构成的组中选择的至少一种的氮系气体，对在表面具有耐热性树脂膜及第一电路电极的半导体基板进行等离子处理而进行表面改性处理的工序；使电路粘接构件介于所述被表面改性处理的半导体基板、和在表面具有与所述第一电路电极对置的第二电路电极的电路构件之间，并以所述第一及第二电路电极对置的方式进行配置的工序；将所述半导体基板及所述电路构件进行压接，使所述半导体基板及所述电路构件进行粘接，且将对置的所述第一及第二电路电极彼此进行电连接的压接工序。

另外，本发明的电路连接结构体的制造方法的特征在于：所述电路粘接构件含有导电性粒子，且所述第一及第二电路电极经由所述导电性粒子进行电连接。

另外，本发明的电路连接结构体的制造方法的特征在于：所述氮系气体为进而含有氢或惰性气体的混合气体。

另外，本发明的电路连接结构体的制造方法的特征在于：所述氮系气体的比率相对所述混合气体为20～100容积％。

另外，本发明的电路连接结构体的制造方法的特征在于：所述耐热性树脂膜为由选自聚酰胺、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚苯并唑、聚苯并咪唑及苯并环丁烯构成的组中的至少二种共聚物，或选自所述组中的至少一种前体构成的膜。

另外，本发明的电路连接结构体的制造方法的特征在于：所述等离子处理在0.5Pa到常压范围的压力下进行。