[发明专利]具有侧栅控和顶栅控读出晶体管的双端口增益单元

权利要求书

1. 一种存储器单元，包括：

第一晶体管，分别具有栅极、源极和漏极；

第二晶体管，分别具有第一栅极、第二栅极、源极和漏极；以及

电容器，具有第一端子，其中所述电容器的第一端子和所述第二晶体管的第二栅极包括单个实体。

2. 如权利要求1的存储器单元，其中所述第一晶体管耦合到存储器阵列的写入字线、第一节点和所述存储器阵列的位线；所述第二晶体管耦合到读出字线、所述第二节点、电压源和所述位线；以及所述电容器连接到所述第一节点且进一步包括连接到电压源的第二端子。

3. 如权利要求2的存储器单元，其中所述第二晶体管包含第一表面和第二表面，其中所述第二晶体管的第一表面为水平取向，且所述第二晶体管的第二表面为垂直取向。

4. 如权利要求2的存储器单元，其中所述第一表面的近端在所述第二表面的近端附近，且所述第一表面的远端在所述第二表面的远端附近。

5. 如权利要求2的存储器单元，其中所述第二晶体管的源极位于近端或远端中的一个上，且所述第二晶体管的漏极位于所述近端或所述远端中的另一个上。

6. 如权利要求2的存储器单元，其中所述第二晶体管的第一栅极设置在所述第一表面上，且所述第二晶体管的第二栅极设置在所述第二表面上。

7. 如权利要求2的存储器单元，其中所述单个实体是电容器电极。

8. 如权利要求1的存储器单元，其中所述第一晶体管耦合到存储器阵列的写入字线、第一节点和所述存储器阵列的写入位线；所述第二晶体管耦合到读出字线、所述第一节点、电压源和读出位线；以及所述电容器的第一端子连接到所述第一节点且所述电容器进一步包括连接到电压源的第二端子。

9. 如权利要求8的存储器单元，其中所述第二晶体管包含第一表面和第二表面，其中所述第二晶体管的第一表面为水平取向，且所述第二晶体管的第二表面为垂直取向。

10. 如权利要求8的存储器单元，其中所述第一表面的近端在所述第二表面的近端附近，且所述第一表面的远端在所述第二表面的远端附近。

11. 如权利要求8的存储器单元，其中所述第二晶体管的源极位于近端或远端中的一个上，且所述第二晶体管的漏极位于所述近端或所述远端中的另一个上。

12. 如权利要求8的存储器单元，其中所述第二晶体管的第一栅极设置在所述第一表面上，且所述第二晶体管的第二栅极设置在所述第二表面上。

13. 如权利要求8的存储器单元，其中所述单个实体是电容器电极。

14. 一种用作存储器单元的读出元件的双栅控晶体管，包括：

读出字线栅极，位于存储电容器的表面的顶部上，所述存储电容器位于绝缘体上半导体衬底内；以及

侧栅极，位于所述绝缘体上半导体衬底内，所述侧栅极包括所述存储电容器的节点导体。

15. 如权利要求14的双栅控晶体管，其中所述绝缘体上半导体衬底包括通过掩埋绝缘层隔开的顶部SOI层和底部衬底层。

16. 如权利要求14的双栅控晶体管，其中所述读出字线栅极包括导体和作为栅极电介质的转移氧化物。

17. 如权利要求14的双栅控晶体管，其中所述存储电容器位于存储沟槽中，利用电介质材料对所述存储沟槽加衬，所述电介质材料是侧栅极的栅极电介质。

18. 如权利要求14的双栅控晶体管，其中所述读出字线栅极位于存储节点电容器的上方，且绝缘层将所述读出字线栅极和所述存储节点电容器隔开。

19. 如权利要求14的双栅控晶体管，其中氮化物层位于所述读出字线栅极和所述存储节点导体之间。