[发明专利]具有包覆模制密封结构的耦合器组件及其形成方法有效
申请号: | 200680031782.9 | 申请日: | 2006-07-26 |
公开(公告)号: | CN101253358A | 公开(公告)日: | 2008-08-27 |
发明(设计)人: | 格兰特·阿尔明·威廉 | 申请(专利权)人: | 考尔得产品公司 |
主分类号: | F16L37/34 | 分类号: | F16L37/34;F16L37/413 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王艳江;段斌 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 包覆模制 密封 结构 耦合器 组件 及其 形成 方法 | ||
相关申请
本申请于2006年7月26日申请了PCT国际专利申请,以名为ColderProducts Company的美国公司作为除美国以外所有指定国的申请人,美国公民Grant Armin Wilhelm仅作为指定美国的申请人,本申请要求2005年7月26提交的美国申请第60/702,547号的优先权。
技术领域
本发明的实施例涉及液力耦合器组件以及制造耦合器组件的方法。更具体地,本发明的实施例涉及具有阀结构的液力耦合器组件以及所述液力耦合器组件中的阀结构的形成方法,所述阀结构具有包覆模制密封件(overmold seals)。
背景技术
快速分离液力耦合器组件普遍用于流体输送应用场合。耦合器组件可包括凸部,该凸部插入凹部中从而生成流体密封连接。通常情况下,这种组件的连接器需要合适的尺寸设置,以便密封件和/或组装表面能够维持从而提供没有泄漏的连接器。这些连接器也可以采用扭转连接或快速连接/分离的特征,这些特征具有手工操作的用于连接到流体配送设备的其它零件的闩锁。进一步地,可采用阀控制零件和组件来控制液流。液力耦合器组件的示例包括美国专利第5,494,074号和第5,938,244号以及美国专利申请第10/417,678号和第10/612,475号中描述的那些组件,上述专利文献的全部内容通过引用结合到本文中。
形成和/或组装耦合器组件的不同部件之间的连接件和密封件非常困难并且成本很高。例如,在某些连接器中,O形密封圈用于形成连接器的移动部件之间的密封件。诸如超声波焊接或旋转焊接的焊接技术通常用于附接热塑性耦合器组件的非移动部件。
对于需要严格的制造公差和精确尺寸的连接器来说,由于包括公差偏差以及注射模制工序中的收缩在内的各种因素的影响,连接器的密封和/或组装表面可能被损坏。这些偏差可能导致泄漏并且可能使得需要 返工以及微调连接器而使其满足规格要求,所述操作都是高成本的工序。
因此需要一种改进的耦合器组件。
发明内容
本发明的实施例涉及液力耦合器组件和制造耦合器组件的方法。更具体地,本发明的实施例涉及具有阀结构的液力耦合器组件以及形成所述液力耦合器组件中的阀结构的方法,所述阀结构具有包覆模制密封件。
根据一个方面,用于耦合器组件的耦合器本体包括:外壳,其限定内孔;以及套筒,其定位在外壳的内孔中。该耦合器还包括第一包覆模制密封件,第一包覆模制密封件形成为与耦合器插入件的表面生成密封接合。该耦合器还包括第二包覆模制密封件,第二包覆模制密封件形成为在所述套筒和所述外壳之间生成密封接合。该耦合器还包括第三包覆模制密封件,所述第三包覆模制密封件位于所述套筒的内表面上以便密封所述耦合器本体的杆。采用单次注射工艺形成所述第一包覆模制密封件、所述第二包覆模制密封件和所述第三包覆模制密封件。根据又一个方面,形成耦合器本体的方法包括:在二次注射模制工艺的第一注射中模制耦合器的套筒,所述套筒限定内表面、外表面、第一端部和第二端部;在所述套筒的第一端部上包覆模制第一密封件以便密封耦合器插入件的表面;在所述套筒的外表面上包覆模制第二包覆模制密封件以便密封形成所述耦合器本体的外壳中的内孔的壁;以及在所述套筒的内表面上包覆模制第三包覆模制密封件以便密封所述耦合器本体的杆,并且采用单次注射工艺在所述套筒上包覆模制所述第一包覆模制密封件、所述第二包覆模制密封件和第三包覆模制密封件。
附图说明
相同的参考标号通常指代附图中相应的元件。
图1是耦合器组件的一个实施例的截面图,图中示出了耦合器本体和耦合器插入件的一个实施例;
图2是图1中的耦合器组件的耦合器本体的立体图;
图3是图2中的耦合器本体的局部剖面立体图;
图4是图2中的耦合器本体的分解立体图;
图5是图2中的耦合器本体的侧视图;
图6是图5中的耦合器本体的端视图;
图7是图6中的耦合器本体沿线7-7的侧视截面图;
图8是图4中示出的耦合器本体的耦合器外壳的一个实施例的立体图;
图9是图8中的耦合器外壳的侧视图;
图10是图8中的耦合器外壳的端视图;
图11是图10中的耦合器外壳沿线11-11的侧视截面图;
图12是图11中的耦合器外壳的局部放大图;
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