[发明专利]半导体集成电路

说明书

技术领域

本发明涉及半导体集成电路，具体涉及用于检测信号线的信号波形斜度的技术。

背景技术

在常规的检测半导体集成电路中输出信号线的信号波形斜度的方法中，由比较器检测信号波形的“L”电平侧的到达时间及其“H”电平侧的到达时间，并且由此获得的跃迁时间(transition time)被转换成专利文献1中所述的波形斜度。

专利文献1：美国专利文献(US6278305)的图1-图3

发明内容

本发明要解决的问题

不过，在检测波形斜度和基于检测到的波形斜度校正波形的常规方法中存在两个问题。一个问题是当由于串音(不期望的逆跃迁、假信号(须状脉冲)等)等产生异常波形时将识别到错误的跃迁时间。另一问题是由于制造工艺易变性所导致的比较器自身的响应时间过长，将引起波形斜度中的误差。

因此，本发明的主要目的在于提供一种半导体集成电路，其中，当检测信号波形的斜度并基于检测结果校正波形时，不会错误地识别跃迁时间，也不会造成波形斜度中的任何误差。

解决问题的手段

为了解决上述问题，根据本发明的半导体集成电路包括：

信号线；

电压电平检测器，其用于检测所述信号线的电压电平；和

跃迁时间检测器，其用于基于所述电压检测器检测到的电压电平，检测所述信号线从非激活(inactive)的电压状态改变到激活(active)的电压状态的跃迁时段的时间长度，其中，

电压电平检测器检测所述跃迁时段中所述信号线的电压电平。因此，可以准确地检测到所述信号线的信号波形的斜度。

所述跃迁时间检测器优选进一步基于所述电压电平检测器检测到的电压电平判断在所述跃迁时段中是否产生逆跃迁。因此，也可以检测到不期望产生的诸如波形逆跃迁之类的异常状态。

所述信号线跃迁时间检测器优选至少包括NMOS晶体管，其中

所述信号线连接到该NMOS晶体管的栅极，第一电压连接到该NMOS晶体管的源极，而在所述信号线从非激活的电压状态改变到激活的电压状态的跃迁时段之前，大于所述第一电压的电压设置给所述NMOS晶体管的漏极，

所述电压电平检测器检测所述跃迁时段的所述NMOS晶体管的漏极电压，并且

所述信号线跃迁时间检测器基于所述电压电平检测器检测到的漏极电压，检测所述跃迁时段的时间长度。因此，可以准确地检测到所述信号线的信号波形斜度。

所述NMOS晶体管的基底电压优选被设置成其阈值表示期望值。因此，可以准确地检测到在所限定的任意电压范围内信号线的信号波形的斜度。

所述NMOS晶体管的基底电压值优选由阱上夹着该NMOS晶体管的基底触点所提供的基底电压值设置，该NMOS晶体管形成于所述阱上。因此，没有必要分离NMOS晶体管形成在其上的阱，而且也可以设置每个NMOS晶体管的基底电压值。结果，可以减少半导体基底上的电路面积。

所述电压电平检测器优选包括：

PMOS晶体管，其中，第二电压设置给它的源极，小于第二电压的电压在跃迁时段开始之前设置给它的漏极，而所述信号线连接到它的栅极；以及

NMOS晶体管，其中，所述PMOS晶体管的漏极连接到该NMOS晶体管的漏极，而该NMOS晶体管的漏极连接到自身的栅极，其中，

所述电压电平检测器检测所述跃迁时段的所述PMOS晶体管的漏极电压，并且

所述跃迁时间检测器基于所述电压电平检测器检测到的所述PMOS晶体管的漏极电压检测所述跃迁时段的时间长度，并判断在所述跃迁时段中是否产生逆跃迁。因此，能准确地检测到信号线的信号波形斜度，并且能检测到不期望产生的诸如波形逆跃迁之类的异常状态。

PMOS晶体管的基底电压优选被设置成其阈值电压表示期望值。因此，能准确地检测到信号线的信号波形斜度，并且能准确地校正实际波形的斜度，并将其改成所定义波形的斜度。

所述电压电平检测器优选至少包括NMOS晶体管，在NMOS晶体管中，信号线连接到栅极，而且基底电压是可控的。因此，能准确地检测到信号线的信号波形斜度。进一步地，能检测到不期望产生的诸如波形逆跃迁之类的异常，这是，而且进一步地，能准确地检测到所定义的任意电压范围内逆跃迁中的波形斜度。

所述半导体集成电路优选进一步包括跃迁时间调节器，用于基于所述跃迁时间检测器的检测结果调节所述信号线的信号波形的跃迁时间。因此，能准确地检测到信号线的信号波形斜度，并且能准确地校正实际波形的斜度，并将其改成所定义波形的斜度。