[发明专利]有关未被抽样的工件的数据表示

说明书

技术领域

本发明系大致有关半导体制造，且详而言之，系有关一种用来提供与先前并未被抽样的工件相关联的数据表示之方法及装置。

背景技术

制造业中技术的急速发展已导致了许多新颖且创新的制程。现今的制程(尤其是半导体制程)需要许多的重要步骤。这些制程步骤通常是极其重要的，因而需要通常被精细调整的一些输入，以便保持适当的制造控制。

半导体装置的制造需要若干独立的制程步骤，以便从半导体原料作出封装的半导体装置。自半导体材料的起始生长、将半导体晶体切割成个别的晶圆、制造阶段(蚀刻、掺杂、或离子植入等的阶段)至成品装置的封装及最后测试之各种制程都是互不相同且专业化，因而可能在包含不同控制架构的不同制造场所中执行该等制程。

一般而言，系对一组半导体晶圆(有时被称为一批(a lot)半导体晶圆)执行一组制程步骤。例如，可在半导体晶圆上形成由各种不同材料构成的制程层。然后可利用习知的微影技术在该制程层之上形成有图案的光阻层。一般随即利用该有图案的光阻层作为屏蔽，而对该制程层执行蚀刻制程。该蚀刻制程使得在该制程层中形成各种特征部位或物体。可将此种特征部位用于诸如晶体管的闸电极结构。经常也在半导体晶圆之基板中形成沟槽隔离结构，以便隔离半导体晶圆中之一些电性区域。可被使用的隔离结构的一个例子是浅沟槽隔离(ShallowTrench Isolation；简称STI)结构。

半导体制造厂内的制造工具通常系连接到制造架构或网络的制程模块。每一制造工具通常被连接到设备接口。该设备接口被连接到制造网络所连接的机器接口，因而有助于该制造工具与该制造架构间之通讯。该机器接口通常可能是先进制程控制(Advanced Process Control；简称APC)系统中的部分。该APC系统激活控制描述语言程序，该控制描述语言程序可以是用来自动撷取制程执行所需的的数据之软件程序。

图1示出典型的半导体晶圆(105)。半导体晶圆(105)通常包含复数个被配置成格子形(150)之个别半导体晶粒(103)。可使用习知的微影制程及设备，而在将要产生图案的一个或多个制程层上形成有图案的光阻层。根据所采用特定光罩的情形，通常系利用步进机(stepper)而一次对单一或多个晶粒(103)位置执行曝光制程，作为该微影制程的部分。在对一层或多层下层材料(例如，多晶硅层、金属层、或绝缘材料层)执行湿式或干式蚀刻制程期间，可将该有图案的光阻层用来作为屏蔽，以便将所需的图案转移到下方层。系由将在下方制程层中复制的诸如直线类型的特征部位或开孔类型的特征部位等的复数个特征部位构成该有图案的光阻层。

现在请参阅图2，图中示出例示先前技术的流程之流程图。在步骤(210)中，制造系统可处理一个或多个半导体晶圆(105)。这些晶圆可以是一批次(a batch)或一批的部分。于对复数个晶圆执行至少一制程时，该制造系统可在步骤(220)中取得与自一批次或一批晶圆选择的晶圆有关之量测数据。可将与该等被抽样的晶圆有关之数据用来计算对该等晶圆执行的制程步骤之修改值。在步骤(230)中，根据所计算的调整值，可对后续晶圆执行的制程实施回授调整。

可能存在与处理半导体晶圆有关的现有方法相关联之数个问题。其中一个问题包括可能无法取得被处理的大致每一晶圆之量测数据。因而在分析制程结果时可能造成数据的遗漏点。可能因遗漏的数据而造成各种负面的牵连。例如，可能因缺少与某些被处理的晶圆有关之数据，而阻碍了制程后分析(post process analysis)。经常可能需要建立某些量测数据与制程后结果间之相关性，以便执行制造分析。然而，现阶段技术的方法可能只提供被抽样的晶圆之量测数据。因此，可能在少于所需数据量的情形下执行制程后分析，因而可能地造成制程后分析准确性的不足。

此外，当执行制程后分析时，于制程后阶段，可能无法取得被分析以取得数据的某些被抽样的晶圆。例如，先前被抽样的晶圆可能因后续的制程错误而已被废弃。因此，在对晶圆执行一系列制程线终止时，可能无法取得某些被抽样的晶圆，以供进一步的制程后分析。因而在分析制程结果时可能留下显著的缺口(gap)。此外，某些晶圆可能被转移到重工(rework)阶段或其它制程阶段，因此，可能无法在制程线阶段终止时取得被抽样的晶圆。因而也可能不利的影响制程后分析。