[发明专利]研磨剂、被研磨面的研磨方法及半导体集成电路装置的制造方法无效
| 申请号： | 200680033059.4 | 申请日： | 2006-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN101263583A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 竹宫聪 | 申请（专利权）人： | 旭硝子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/00;C09K3/14 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 刘多益 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 研磨剂 研磨 方法 半导体 集成电路 装置 制造 | ||
1.研磨剂，它是半导体集成电路装置的制造中用于研磨含SiC的被研磨面的化学机械研磨用研磨剂，其特征在于，
包含磨粒(A)，
选自苯并三唑类、1H-四唑类、苯磺酸类、磷酸和有机膦酸的1种以上的研磨速度调整剂(B)，
介电常数为15～80、沸点为60～250℃、25℃时的粘度为0.5～60mPa·s的有机溶剂(C)
以及水(D)。
2.如权利要求1所述的研磨剂，其特征在于，还包含碱性化合物(E)，pH在9～12的范围内。
3.如权利要求1或2所述的研磨剂，其特征在于，还包含无机酸(F)和pH缓冲剂(G)。
4.如权利要求1～3中的任一项所述的研磨剂，其特征在于，用于研磨还包含二氧化硅的被研磨面。
5.如权利要求1～4中的任一项所述的研磨剂，其特征在于，SiC层/二氧化硅层的研磨速度选择比在3以上。
6.如权利要求1～5中的任一项所述的研磨剂，其特征在于，前述磨粒(A)为胶态二氧化硅。
7.如权利要求1～6中的任一项所述的研磨剂，其特征在于，将前述研磨剂的总质量设为100质量％时，磨粒(A)的含量在0.1～20质量％的范围内，研磨速度调整剂(B)的含量在0.001～50质量％的范围内，有机溶剂(C)的含量在0.1～20质量％的范围内，水(D)的含量在40～98质量％的范围内。
8.如权利要求1～7中的任一项所述的研磨剂，其特征在于，前述磨粒(A)的平均一次粒径在5～300nm的范围内。
9.如权利要求1～8中的任一项所述的研磨剂，其特征在于，还包含选自聚丙烯酸、支链淀粉、甘氨酰甘氨酸和N-苯甲酰甘氨酸的1种以上的添加剂(H)。
10.研磨方法，它是将研磨剂供于研磨垫，使半导体集成电路装置的被研磨面与研磨垫接触，通过两者间的相对运动进行研磨的被研磨面的研磨方法，其特征在于，
所述被研磨面为包含SiC的被研磨面，
所述研磨剂使用权利要求1～9中的任一项所述的研磨剂。
11.半导体集成电路装置的制造方法，其特征在于，具有通过权利要求10所述的研磨方法研磨被研磨面的工序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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