[发明专利]具有位寄存层的半导体存储装置及其驱动方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具有多个用于存储数据的存储单元，该半导体 存储装置包括：

至少两个用于记录关于该存储单元的状态信息的位寄存层，包括第一位 寄存层和第二位寄存层，

其中所述至少两个位寄存层的每个包括多个位寄存器，所述至少两个位 寄存层的每个中的相应位寄存器对应于该存储单元中的一个，

其中每个位寄存器配置为记录状态信息，该状态信息显示对应的存储单 元是否是有缺陷的。

2.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中如果该对应的存储单元是 有缺陷的，则每个位寄存器记录数据0。

3.如权利要求2所述的半导体存储装置，其中该位寄存器具有熔丝结 构。

4.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中如果该对应的存储单元是 有缺陷的，则每个位寄存器记录数据1。

5.如权利要求4所述的半导体存储装置，其中该位寄存器具有反熔丝结 构。

6.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中

该第一位寄存层包括对应于每个存储单元的位寄存器，该位寄存器用于 显示该对应的存储单元的状态；以及

该第二位寄存层包括对应于每个存储单元的位寄存器，该位寄存器用于 显示该对应的存储单元的状态。

7.一种半导体存储装置，包括：

具有用于储存数据的存储单元的存储层；以及

至少两个用于记录关于该存储单元的状态信息的位寄存层，包括第一位 寄存层和第二位寄存层，

其中所述至少两个位寄存层的每个包括多个位寄存器，所述至少两个位 寄存层的每个中的相应位寄存器对应于该存储单元中的一个，

其中每个位寄存器配置为记录状态信息，该状态信息显示该对应的存储 单元是否是有缺陷的。

8.如权利要求7所述的半导体存储装置，其中该位寄存器记录状态信 息，该状态信息显示如果该存储单元是有缺陷的则不存取该存储单元。

9.如权利要求8所述的半导体存储装置，其中每个位寄存器是一次可编 程存储器。

10.如权利要求7所述的半导体存储装置，其中所述位寄存层形成在该 存储层之上。

11.如权利要求7所述的半导体存储装置，其中该存储层是分子存储器、 碳纳米管存储器、原子存储器和单电子存储器之一。

12.如权利要求7所述的半导体存储装置，其中该存储层包括纳米级存 储单元。

13.一种半导体存储装置，包括：

具有用于储存数据的多个存储单元的存储层；以及

包括第一位寄存层和第二位寄存层的至少两个位寄存层，每个位寄存层 具有多个位寄存器，所述至少两个位寄存层的每个中的相应位寄存器对应于 该存储单元中的一个，每个位寄存器配置为具有根据对应的存储单元是否有 缺陷而不同的状态。

14.如权利要求13所述的半导体存储装置，其中如果该对应的存储单元 是有缺陷的，则每个位寄存器配置为在第一状态，而如果该对应的存储单元 是无缺陷的，则每个位寄存器配置为在第二状态。

15.如权利要求14所述的半导体存储装置，其中如果位寄存器中的一个 是有缺陷的，则该位寄存器配置为在第一状态。

16.如权利要求13所述的半导体存储装置，其中该半导体存储装置是纳 米级存储装置。