[发明专利]树脂组合物、清漆、树脂膜及半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及树脂组合物、清漆、树脂膜及半导体装置。

背景技术

作为半导体用的层间绝缘膜，现在主要使用用CVD法(化学蒸镀法)等制成的氧化膜(SiOx膜)。但是，氧化膜等的无机绝缘膜，由于介电常数高，因而难以对应半导体的高速化、高性能化。因此，作为低介电常数的层间绝缘膜，对有机材料的使用进行了研究。作为用于层间绝缘膜有机材料，要求其耐热性、电气特性优异，并且介电常数低。

以往以来，作为有机材料，研究了聚酰亚胺树脂、聚喹啉树脂、聚喹喔啉树脂等(例如，参照专利文献1)。

但是，聚酰亚胺树脂有耐热性低、介电常数高、吸湿性高等的问题。因此，从可靠性方面考虑，其用途限于双极半导体元件等的一部分的半导体元件上。

另一方面，与聚酰亚胺树脂相比，具有高耐热性、低介电常数、低吸湿性的聚喹啉树脂、聚喹喔啉树脂，为热可塑性树脂，因而，当处于树脂的玻璃转移温度以上的温度的情形下，有时会发生树脂图案变形，在半导体制造时成为问题。

专利文献1：JP特开2000-195853号公报

发明内容

发明要解决的课题

本发明的目的是提供低介电常数的耐热性优异的树脂组合物。

另外，本发明的目的是提供低介电常数的耐热性优异的树脂膜以及使用该树脂膜的半导体装置。

解决课题的方法

上述的本发明的目的，可通过下述的(1)～(27)所记载的本发明来 达成。

(1)一种树脂组合物，其包括：具有由双氨酚化合物与二羧酸化合物反应而得到的第一重复单元的苯并噁唑树脂前驱体以及交联剂，其特征在于，上述双氨酚与二羧酸化合物，至少一方具有钻石形(diamondoid)结构。

(2)上述(1)中所述的树脂组合物，其中，上述交联剂具有钻石形结构。

(3)上述(1)或(2)中所述的树脂组合物，其中，上述苯并噁唑树脂前驱体还具有由不具有钻石形结构的双氨酚化合物与不具有钻石形结构的二羧酸化合物反应而得到的第二重复单元。

(4)上述(1)～(3)中任一项所述的树脂组合物，其中，上述钻石形结构具有该钻石形结构以外的官能团。

(5)上述(1)～(4)中任一项所述的树脂组合物，其中，上述不具有钻石形结构的双氨酚化合物、不具有钻石形结构的二羧酸化合物或其两方具有上述钻石形结构以外的官能团。

(6)上述(1)～(5)中任一项所述的树脂组合物，其中，上述钻石形结构为选自由金刚烷基、二联金刚烷基(ジアマンチル)、三联金刚烷基(トリアマンチル)、四联金刚烷基(テトラマンチル)、五联金刚烷基(ペンタマンチル)、六联金刚烷基(ヘキサマンチル)、七联金刚烷基(ヘプタマンチル)、八联金刚烷基(ォクタマンチル)、九联金刚烷基(ノナマンチル)、十联金刚烷基(デカマンチル)、十一联金刚烷基(ゥンデカマンチル)、双金刚烷基、三金刚烷基、四金刚烷基、五金刚烷基、六金刚烷基、七金刚烷基、八金刚烷基、九金刚烷基、十金刚烷基、以及十一金刚烷基所组成的组的至少一个基团。

(7)上述(1)～(6)中任一项所述的树脂组合物，其中，上述钻石形结构具有烷基及/或氟烷基。

(8)上述(4)～(7)中任一项所述的树脂组合物，其中，上述钻石形结构以外的官能团具有形成交联键的官能团。

(9)上述(4)～(7)中任一项所述的树脂组合物，其中，上述钻石形结构以外的官能团具有炔键。

(10)上述(1)～(9)中任一项所述的树脂组合物，其中，上述具有 钻石形结构的二羧酸，为金刚烷二羧酸、双金刚烷二羧酸及/或四金刚烷二羧酸。

(11)上述(3)～(10)中任一项所述的树脂组合物，其中，上述苯并噁唑树脂前驱体，由上述第一重复单元与第二重复单元共聚而成。

(12)一种树脂组合物，其包括：具有用下式(1)表示的第三重复单元的苯并噁唑树脂前驱体以及交联剂。

式(1)