[发明专利]空心体内面的等离子体处理的方法和设备有效
申请号: | 200680034948.2 | 申请日: | 2006-08-24 |
公开(公告)号: | CN101268538A | 公开(公告)日: | 2008-09-17 |
发明(设计)人: | M·比克尔;R·霍梅斯;M·洛迈尔 | 申请(专利权)人: | 肖特股份公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;C23C16/04;B65D23/02 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 董华林 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 空心 体内 等离子体 处理 方法 设备 | ||
1.用于空心体形的工件的等离子体处理的方法,其中在一反应器 室内将一处理区域至少部分地抽成真空,将一过程气体导入处理区域 内,并且借助于射进的电磁能量在工件的表面的至少一部分的周围中 在导入处理区域的过程气体中触发等离子体;其特征在于,在将用于 产生等离子体的电磁能量射进导入的过程气体期间,通过在一与反应 器室分开的室中的辉光放电,在与反应器室分开的室内激发气体,从 而触发等离子体,过程气体在等离子体处理过程中在处理区域的对置 的两端之间流过处理区域,其中工件具有一第一圆柱形的或圆柱似的 表面和一个圆柱形的或圆柱似的成型部,该成型部具有较小的直径和 较小的长度以及一第二圆柱形的或圆柱似的表面,其中成型部的直径 和高度比工件的最大直径和高度小至少20%。
2.按照权利要求1所述的方法,其特征在于,在激发气体时产生 如下的至少一种能量丰富的形态或辐射:
i)激发的电子
ii)激发的离子
iii)激发的中性粒子
iv)紫外线辐射
并且由此促进等离子体的触发。
3.按照权利要求1或2所述的方法,其特征在于,在周围借助于 一在分开的室中的辉光放电触发等离子体,并且通过下列参数的至少 一个触发辉光放电:
i)在0.1kV-100kV的高电压,
ii)具有频率0.2kHz-100MHz的交流电,
iii)在0.01mA-2A范围内的有效的交流电。
4.按照权利要求1或2所述的方法,其特征在于,只在空心体的 内面上实施等离子体处理。
5.按照权利要求1或2所述的方法,其特征在于,只在工件的外 面上实施等离子体处理。
6.按照权利要求1或2所述的方法,其特征在于,不仅在空心体 的内面上而且在外面上实施等离子体处理,并且在空心体的内面和外 面上的等离子体处理是不同的或以不同的方式对表面产生作用。
7.按照权利要求1所述的方法,其特征在于,
i)工件成形成圆柱形或圆柱似的,并且最大外径在1mm至50mm 之间,并且高度为10mm至200mm;或
ii)工件最大内径在1mm至50mm之间,并且高度为10mm至 200mm以及壁厚为0.2mm至10mm;或
iii)工件包括一第二圆柱形的或圆柱似的成型部,该成型部具有 较小的直径和较小的长度,该成型部具有一狭窄的导管状的在0.01与 15mm之间的内径;或
iv)工件容积在0.1-100ml的范围内。
8.按照权利要求1、2或7所述的方法,其特征在于,工件成形 成圆柱形的或圆柱似的,包括第一圆柱形的或圆柱似的表面;并且具 有一圆柱形的或圆柱似的成型部,包括第二圆柱形的或圆柱似的表面, 其中在第一圆柱形或圆柱似的表面上涂覆至少一个膜厚为D1的薄膜, 而在第二圆柱似的表面上涂覆厚度为D2的膜,其中对于厚度D1与 D2的比例满足0.2≤D2/D1≤5。
9.按照权利要求1或7所述的方法,其特征在于,将过程气体经 由至少一个导管通入处理区域,导管内孔径在0.1mm与5.0mm之间, 并且导管壁厚在0.05mm与3.0mm之间。
10.按照权利要求1、2或7所述的方法,其特征在于,工件通过 一在第一端上的孔抽成真空,并且通过工件的对置于第一端的第二端 上的另一孔导入过程气体,并且沿轴向方向输入耦合电磁能。
11.按照权利要求1、2或7所述的方法,其特征在于,在内面等 离子体处理注射器体。
12.按照权利要求11所述的方法,其特征在于,将注射器体的空 腔通过注射器体的活塞孔抽成真空。
13.按照权利要求12所述的方法,其特征在于,通过注射器体的 鲁厄氏锥体供给过程气体。
14.按照权利要求12所述的方法,其特征在于,通过注射器体的 活塞孔供给过程气体。
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