[发明专利]溅射靶、透明导电膜和触摸板用透明电极有效
| 申请号： | 200680035078.0 | 申请日： | 2006-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN101273153A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 矢野公规;井上一吉;田中信夫;岛根幸朗 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C04B35/453;H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 溅射 透明 导电 触摸 电极 | ||
1、一种溅射靶，其特征在于，以铟、锡、锌为主成分，
由In/(In+Sn+Zn)表示的原子比为0.10～0.35，
由Sn/(In+Sn+Zn)表示的原子比为0.15～0.35，
由Zn/(In+Sn+Zn)表示的原子比为0.50～0.70，
并且，该溅射靶是含有由In2O3(ZnO)m表示的六方晶层状化合物及由Zn2SnO4表示的尖晶石结构化合物的氧化物的烧结体，其中，m为3～9的整数。
2、根据权利要求1所述的溅射靶，其特征在于，在X射线衍射中，所述六方晶层状化合物的最大峰强度I(In2O3(ZnO)m)、所述尖晶石结构化合物的最大峰强度I(Zn2SnO4)及由SnO2表示的金红石结构化合物的最大峰强度I(SnO2)满足下述关系：
(I(In2O3(ZnO)m))/(I(Zn2SnO4))＜1
(I(SnO2))/(I(In2O3(ZnO)m))＜1
(I(SnO2))/(I(Zn2SnO4))＜1。
3、根据权利要求1或2所述的溅射靶，其特征在于，在所述X射线衍射中，所述尖晶石结构化合物的峰值在狭窄角移动。
4、根据权利要求1～3中任一项所述的溅射靶，其特征在于，体电阻为0.5～300mΩcm。
5、根据权利要求1～4中任一项所述的溅射靶，其特征在于，相对密度为90％以上。
6、一种透明导电膜，其特征在于，利用权利要求1～5中任一项所述的溅射靶，通过溅射法成膜而成。
7、一种触摸板用透明电极，其特征在于，使用权利要求6所述的透明导电膜。
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