[发明专利]溅射靶、透明导电膜和触摸板用透明电极

说明书

技术领域

本发明涉及削减了铟的溅射靶、透明导电膜和触摸板用透明电极。

背景技术

近年来，显示装置的发展迅猛，液晶显示装置(LCD)、电致发光(EL)显示装置、或场发射显示装置(FED)等作为个人电脑、文字处理设备等的办公机器、工厂中的控制系统用的显示装置得到使用。这些显示装置均具有由透明导电性氧化物夹着显示元件的夹层结构。

作为这样的透明导电性氧化物，如非专利文献1所公开，通过溅射法、离子镀敷法或蒸镀法成膜的铟锡氧化物(以下简称为ITO)或者铟锌氧化物(以下简称为IZO)占据着主流。

ITO由氧化铟和氧化锡构成，透明性和导电性优异，另外可以用强酸进行蚀刻加工，还有与基板的密着性也优异。另外，IZO在ITO的特征之外，弱酸进行的蚀刻加工优异，可实现电极的高精细化。

然而，近年来由于面板显示器(FPD)的急速普及，发生了在FPD中作为必须的透明电极的主要原料的铟的供给不稳定。另外，铟与锌、锡比具有有害性，从该观点出发也要求限制其使用量。另一方面，在ITO和IZO等的透明导电膜用靶中铟的含量高(80～90原子％)。为此，强烈要求减少ITO和IZO的靶中的铟量。

另一方面，还对如下方法进行了研究：作为由IZO构成的靶，含有由In₂O₃(ZnO)_m(m为2～20的整数。)表示的六方晶层状化合物，并且将该六方晶层状化合物的晶粒直径定为5μm以下值，由此，防止球粒(ノジユ一ル)的发生抑制异常放电(专利文献1，专利文献2)。

专利文献1：WO01/038599手册

专利文献2：特开平06-234565号公报

非专利文献1：“透明导电膜的技术”((株)欧姆社出版，日本学术振兴会，透明氧化物·光电子材料第166委员会编，1999)

发明内容

本发明的目的在于提供一种铟含量少，高密度并且低电阻的靶及利用该靶制作的透明导电膜和触摸板用透明电极。

在IZO中将铟含量削减到35原子％以下，为了提高密度用高温烧结时，所得到的靶的电阻变得极高。即，在IZO的靶中，难以同时提高相对密度和降低体电阻，并且很难减少铟含量。

发明者们锐意研究的结果发现，在铟含量在35原子％以下的IZO中，在为了提高密度而在高温烧结时，电阻极高的ZnO数大的六方晶化合物(m为10以上的In₂O₃(ZnO)_m)产生。此外，发明者们还发现通过得到含有由In₂O₃(ZnO)_m(m为3～9的整数)表示的六方晶层状化合物和由Zn₂SnO₄表示的尖晶石结构化合物的氧化物的烧结体，能够制造即使铟含量在35％以下，也能够提高靶的相对密度，体电阻低的靶。

根据本发明，提供了以下的溅射靶。

1、含有以铟、锡、锌为主要成分，由In/(In+Sn+Zn)表示的原子比为0.10～0.35，由Sn/(In+Sn+Zn)表示的原子比为0.15～0.35，由Zn/(In+Sn+Zn)表示的原子比为0.50～0.70，由In₂O₃(ZnO)_m表示的六方晶层状化合物及由Zn₂SnO₄表示的尖晶石结构化合物的氧化物的烧结体的溅射靶，其中，m为3～9的整数。

2、根据1所述的溅射靶，在X射线衍射中，所述六方晶层状化合物的最大峰强度I(In₂O₃(ZnO)_m)、所述尖晶石结构化合物的最大峰强度I(Zn₂SnO₄)及由SnO₂表示的金红石结构化合物的最大峰强度I(SnO₂)满足下述关系：

(I(In₂O₃(ZnO)_m))/(I(Zn₂SnO₄))＜1

(I(SnO₂))/(I(In₂O₃(ZnO)_m))＜1

(I(SnO₂))/(I(Zn₂SnO₄))＜1。