[发明专利]用于处理基底的装置和方法

说明书

技术领域

[1]本发明涉及用于处理基底的装置和方法，更具体地说，涉及通过向基底供应化学物质来处理诸如半导体基底等基底的装置和方法。

背景技术

[2]对于半导体设备的制造，晶片要经受各种处理。在这些处理中，光刻处理用于在晶片上形成图案，并且所述光刻处理包括在晶片上涂敷诸如光刻胶等感光溶液的涂敷处理，用光线照射已涂敷光刻胶从而形成待形成图案的临时图像的摄影处理，以及将临时图像显影成图案的显影处理。在涂敷处理中，以均匀厚度和设定厚度涂敷光刻胶是非常重要的，并且晶片的温度对其上涂敷的光刻胶的厚度的均匀性有很大的影响。

[3]在进行涂敷处理之前，晶片通常在烘烤模件中加热或冷却，然后通过自动机械传送到执行涂敷处理的模件进行处理。晶片的温度受到与自动机械的接触的影响。因此，为了将晶片保持在处理温度上，在自动机械中设置有控制晶片温度的温度控制部件。

[4]通常，在基底处理装置中，两个或更多烘烤模件设置于上下方向或左右方向上。晶片与传送自动机械的接触时间根据其中进行各种处理的烘烤模件的位置变化。因此，不容易均衡且精确地控制晶片的温度。同样，由于只有晶片的选定区域与自动机械接触，因此晶片的温度随其所述区域的不同而不同。

[5]上述缺点使光刻胶在涂敷处理中以较低的均匀性涂敷于多个晶片之间或者单个晶片的多个区域之间。

发明内容

[6]本发明提供一种用于处理基底的装置和方法，在对基底进行某个处理之前，所述装置和方法使基底的温度均匀地保持在处理温度。

[7]同样，本发明提供用于处理基底的装置和方法，所述装置和方法能够提高多个晶片之间或者在单个晶片的多个区域之间的已涂敷光刻胶的厚度的均匀性。

[8]本发明提供一种装置，所述装置用于通过将化学溶液供应到基底上进行一个处理来处理所述基底。所述装置包括：支撑部件，其上安装有所述基底；化学溶液供应部件，其将所述化学溶液供应到安装于所述支撑部件上的所述基底上；以及流体供应部件，其将流体供应到所述基底上，在将所述化学溶液供应到所述基底上之前，所述流体将所述基底的温度控制在预设的处理温度上，其中，所述流体供应部件包括：流体供应管，所述流体通过所述流体供应管供应；和控制所述流体温度的温度控制部件。

[9]在本发明的一个例子中，所述处理是将感光溶液涂敷在所述基底上的处理，所述化学溶液是所述感光溶液，所述流体是使得所述感光溶液在所述基底上易于扩散的处理溶液，所述流体供应部件包括将所述处理溶液供应到所述基底上的处理溶液供应部件，并且所述流体供应管包括处理溶液供应管，所述处理溶液通过所述处理溶液供应管供应。

[10]所述支撑部件包括：支撑板，其上安装有所述基底；和与所述支撑板接合并通过驱动器旋转的旋转轴。可选择地，所述装置还可以设置有控制器，所述控制器控制是否使所述旋转轴旋转，并控制是否打开或关闭安装于所述处理溶液供应管上的阀门，或者控制所述阀门打开或关闭的程度。

[11]在一个例子中，控制所述处理溶液温度的温度控制部件包括：恒温流体供应管，其设置成围绕所述处理溶液供应管的至少一部分，恒温流体通过所述恒温流体供应管流动；以及控制所述恒温流体温度的温度控制器。

[12]在一个例子中，感光溶液供应部件包括：感光溶液供应管，所述感光溶液通过所述感光溶液供应管供应；和温度控制部件，其控制所述感光溶液的温度，从而使所述感光溶液保持在预设的处理温度上。控制所述感光溶液温度的所述温度控制部件包括：恒温流体供应管，其设置成围绕所述感光溶液供应管的至少一部分，恒温流体通过所述恒温流体供应管流动；以及控制所述恒温流体温度的温度控制器。

[13]在一个例子中，所述感光溶液可以是光刻胶，所述处理溶液可以是稀释剂。

[14]在本发明的另一个实施例中，所述处理是显影处理，所述化学溶液是显影溶液，所述流体是去离子水。

[15]控制所述流体的所述温度控制部件包括：恒温流体供应管，其设置成围绕所述流体供应管的至少一部分，恒温流体通过所述恒温流体供应管流动；以及控制所述恒温流体温度的温度控制器。

[16]同样，所述装置还可以包括清洗所述基底的后表面的清洗溶液供应部件。所述清洗溶液供应部件包括：将所述清洗溶液供应到所述基底的后表面上的清洗溶液供应管；以及控制所述清洗溶液温度的温度控制部件，所述清洗溶液通过所述清洗溶液供应管流动。