[发明专利]形状记忆装置

权利要求书

1.一种存储器装置，包括：

晶体管，具有栅极、漏极和源极；以及

双稳态纳米尺度结构，连接至所述晶体管。

2.如权利要求1所述的存储器装置，其中所述双稳态纳米尺度结构具有两个稳态位置，这两个稳态位置对所述晶体管的导电性具有不同的影响。

3.如权利要求2所述的存储器装置，还包括电路，与所述纳米尺度结构连接，以改变所述两个稳态位置之间的所述纳米尺度结构。

4.如权利要求3所述的存储器装置，其中所述电路用热或者静电改变所述两个稳态位置之间的所述纳米尺度结构。

5.如权利要求1所述的存储器装置，其中所述双稳态纳米尺度结构包括导体，所述导体在应力下形成于两个支撑之间，可驱动为释放了所述应力的不同的稳定形状。

6.如权利要求5所述的存储器装置，其中两个不同的形状包括向上弯曲的形状和向下弯曲的形状，并且其中所述导体充当所述晶体管的栅极。

7.如权利要求6所述的存储器装置，其中所述栅极在所述晶体管的沟道上方，在形状上变形为两个稳定状态。

8.如权利要求6所述的存储器装置，还包括板电极，所述板电极用于通过在所述板电极与所述栅极之间施加电势，使所述栅极变形。

9.如权利要求1所述的存储器装置，其中所述结构包括：应力多晶硅膜、应力金属膜、顶部带硅化物的应力多晶硅膜或者顶部带金属的应力多晶硅膜。

10.如权利要求1所述的存储器装置，其中所述双稳态纳米结构包括开关，所述开关具有在稳态位置之间移动以打开和闭合所述开关的臂，其中所述开关在交叉点开关配置中连接至其它开关和存储器装置。

11.一种存储器装置，包括：

晶体管，具有栅极、漏极和源极；以及

用于以双稳态纳米尺度机械方式改变所述晶体管的状态的器件。

12.一种基于晶体管的存储器装置，具有栅极和沟道，所述装置包括：

应力栅极，具有两个双稳态位置；

用于可控制地移动所述栅极至不同的双稳态位置的器件；以及

沟道，接近所述栅极，使得所述沟道的电特性是所述栅极的位置的函数。

13.一种存储器装置，包括：

晶体管，具有浮栅，所述浮栅调节漏极与源极之间的电流；以及

温度驱动形状记忆开关，连接至所述晶体管，用于将所述晶体管编程为温度的函数。

14.如权利要求13所述的存储器装置，其中所述温度驱动形状记忆开关连接在所述栅极与所述漏极之间。

15.如权利要求13所述的存储器装置，其中所述温度驱动形状记忆开关连接至所述漏极并改变漏极电压。

16.如权利要求13所述的存储器装置，其中所述存储器开关包括侧壁，所述侧壁由可拉长或可压缩的膜形成。

17.如权利要求13所述的存储器装置，其中所述晶体管为平面的、垂直的，或者形成在导电性硅沟道的鳍上。

18.一种存储器结构，其中形状记忆合金与晶体管相结合以提供阵列随机存储器访问。

19.一种交叉点开关，包括：

多个交叉的导体的导电行和列；

多个可驱动开关，其中开关位于所述行和列的各个交叉点上，使得各个交叉点可单独寻址。

20.如权利要求19所述的交叉点开关，还包括多个字线，所述字线静电地连接至所述开关，以可控制地驱动所述开关。

21.如权利要求19所述的交叉点开关，其中所述可驱动开关选自由形状记忆合金、双金属材料、导电性有机物、形状改变分子以及纳米管构成的组。

22.一种存储器，在交叉点具有导通-断开开关，其导通位置通过使用字线栅极施加的静电力驱动。

23.如权利要求22所述的存储器，其中在交叉点的所述开关能够通过以下方式断开：克服将所述开关保持在导通位置的力而流过允许所述开关断开的更高电流。