[发明专利]薄膜元件的制造方法有效
| 申请号： | 200680035774.1 | 申请日： | 2006-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN101273438A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 克里斯特尔·德格特;劳兰特·克拉维里尔 | 申请（专利权）人： | 原子能委员会 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 郭思宇 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 元件 制造 方法 | ||
1.一种薄膜元件制造方法，其特征在于以下步骤：
-在由不同于第一种材料的第二种材料形成的一支撑体(2；12)的结晶层(2；12)上外延生长第一种材料的结晶层(4；14)，所述的第一种材料层(4；14)具有的厚度使其结晶参数由所述支撑体(2；12)结晶层(2；12)的晶格参数决定；
-在所述第一种材料层(4；14)的与所述支撑体(2；12)相反的一面上形成介电层(8；18)，以形成施体结构(2，4，8；12，14，18)；
-将所述施体结构(2，4，8；12，14，18)与一个受体衬底(10)组装在一起；
-去除所述支撑体(2；12)。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于包括，在形成介电层(8；18)之前，在所述第一种材料层(4；14)上外延生长第三种材料层(6；17)的步骤，所述第三种材料层的材料和厚度被选择成使得第三种材料的晶格参数由所述支撑体(2；12)的结晶层的晶格参数决定。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于去除支撑体步骤之后的以下步骤：
-局部蚀刻第一种材料的结晶层直到第三种材料层；
-在由于蚀刻而暴露的第三种材料层的区域外延生长第三种材料。
4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于形成介电层的步骤包括氧化第三种材料(17)的外延生长层的至少一部分以便得到所述介电层(18)的步骤。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的方法，其特征在于第三种材料是硅。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于所述形成该结构的介电层(8；18)的步骤包括沉积介电层(8)的步骤。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于所述介电层(8；18)是氧化物层。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其特征在于所述支撑体是第二种材料的板(2)。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其特征在于所述支撑体属于绝缘体上表面层类型，该表面层(26)形成第二种材料的结晶层。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其特征在于所述第一种材料是锗。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其特征在于所述第二种材料是松驰硅。
12.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其特征在于所述第二种材料是应变硅。
13.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其特征在于所述第二种材料是SiGe。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的方法，其特征在于在由于去除支撑体(2；12)而留下的空闲的第一种材料结晶层(4；14)的表面上外延生长第一种材料的步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
