[发明专利]MEMS装置及其互连无效
申请号: | 200680035944.6 | 申请日: | 2006-09-29 |
公开(公告)号: | CN101272982A | 公开(公告)日: | 2008-09-24 |
发明(设计)人: | 艾伦·G·刘易斯;马尼什·科塔里;约翰·贝蒂;笹川照夫;董明豪;格雷戈里·D·尤伦;斯蒂芬·泽 | 申请(专利权)人: | 高通MEMS科技公司 |
主分类号: | B81B7/00 | 分类号: | B81B7/00;G02B26/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 刘国伟 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | mems 装置 及其 互连 | ||
1.一种微机电系统装置,其包括:
电极;
可移动层;
机械层,其在所述可移动层上;
导电层,其在所述电极与所述机械层之间;以及
电互连,其在所述装置外部的电路与所述电极和所述可移动层的至少一者之间,其中所述电互连的至少一部分和所述导电层由相同材料形成。
2.根据权利要求1所述的微机电系统装置,其进一步包括所述电极与所述可移动层之间的腔。
3.根据权利要求2所述的微机电系统装置,其中所述导电层是用于形成所述腔的牺牲层。
4.根据权利要求3所述的微机电系统装置,其中所述电互连由选自由钼、掺杂硅、钨和钛组成的群组的材料形成。
5.根据权利要求3所述的微机电系统装置,其中所述牺牲材料由形成所述可移动层与所述电极之间的接触的材料形成。
6.根据权利要求1所述的微机电系统装置,其中所述导电层是所述可移动层。
7.根据权利要求1所述的微机电系统装置,其中所述可移动层包括铝。
8.根据权利要求1所述的微机电系统装置,其中所述装置是干涉式调制器。
9.根据权利要求1所述的微机电系统装置,其中所述可移动层是从所述机械层悬置的反射层。
10.根据权利要求1所述的微机电系统装置,其中保护性材料在所述电互连与所述导电层之间,其中可相对于所述保护性材料选择性地蚀刻形成所述电互连的至少一部分和所述导电层的所述材料。
11.根据权利要求1所述的微机电系统装置,其进一步包括:
显示器;
处理器,其与所述显示器电连通,所述处理器经配置以处理图像数据;
存储器装置,其与所述处理器电连通。
12.根据权利要求11所述的微机电系统装置,其进一步包括:
驱动器电路,其经配置以将至少一个信号发送到所述显示器。
13.根据权利要求12所述的微机电系统装置,其进一步包括:
控制器,其经配置以将所述图像数据的至少一部分发送到所述驱动器电路。
14.根据权利要求12所述的微机电系统装置,其进一步包括:
图像源模块,其经配置以将所述图像数据发送到所述处理器。
15.根据权利要求14所述的微机电系统装置,其中所述图像源模块包括接收器、收发器和发射器中的至少一者。
16.根据权利要求11所述的微机电系统装置,其进一步包括:
输入装置,其经配置以接收输入数据并将所述输入数据传送到所述处理器。
17.一种形成微机电系统装置的方法,其包括:
提供电极;
在所述电极上形成导电层;
图案化所述导电层以形成所述装置外部的电路与所述电极和所述装置内的第二电极的至少一者之间的电互连的至少一部分;以及
在图案化所述导电层之后,在所述导电层上形成机械层。
18.根据权利要求17所述的方法,其中所述第二电极是可移动层。
19.根据权利要求18所述的方法,其中所述导电层是所述可移动层。
20.根据权利要求18所述的方法,其中所述导电层包括铝。
21.根据权利要求17所述的方法,其中所述导电层包括选自由钼、掺杂硅、钨和钛组成的群组的材料。
22.根据权利要求21所述的方法,其进一步包括在图案化所述导电层之后,在所述电极与所述机械层之间形成腔。
23.根据权利要求22所述的方法,其中形成所述腔包括选择性地去除所述导电层。
24.根据权利要求23所述的方法,其中使用二氟化氙来选择性地去除所述导电层。
25.根据权利要求22所述的方法,其进一步包括在图案化所述导电层之后沉积保护性材料,以防止所述电互连在形成所述腔期间被蚀刻,其中可相对于所述保护性材料选择性地蚀刻所述导电层。
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