[发明专利]CIS系薄膜太阳电池组件及其制造方法

权利要求书

1.一种CIS系薄膜太阳电池组件，其特征在于，作为浮法玻璃的青板玻璃的表面由不含Sn的空气面和含Sn的浮面构成，在上述青板玻璃的上述空气面上形成CIS(CuInSe₂系)系薄膜太阳电池器件。

2.一种CIS系薄膜太阳电池组件的制造方法，其特征在于，作为浮法玻璃的青板玻璃的表面由不含Sn的空气面和含Sn的浮面构成，在上述青板玻璃的上述空气面上制作CIS(CuInSe₂系)系薄膜太阳电池器件膜。

3.根据权利要求2所述的CIS系薄膜太阳电池组件的制造方法，其特征在于，通过用于识别上述青板玻璃的表面是否含有Sn的玻璃表面识别部件来识别不含有Sn的青板玻璃的空气面，在上述空气面上制作上述CIS系薄膜太阳电池器件膜。

4.根据权利要求3所述的CIS系薄膜太阳电池组件的制造方法，其特征在于，通过上述玻璃表面识别部件来识别含有Sn的青板玻璃的浮面，利用含Sn标记施加部件迅速且正确地对上述浮面施加表示含有Sn的含Sn标记(或对不含有Sn的青板玻璃的空气面施加表示不含有Sn的标记)，在上述不含有Sn的青板玻璃的空气面上制作上述CIS系薄膜太阳电池器件膜。

5.根据权利要求3或4所述的CIS系薄膜太阳电池组件的制造方法，其特征在于，上述玻璃表面识别部件对青板玻璃的两表面照射如下波长的紫外线，该波长是会由于Sn的存在而发出荧光且不会透过(被吸收)玻璃的波长、即200～300nm、优选是250～300nm左右的波长，在通过照射上述紫外线而产生荧光(由于Sn而产生的荧光量较多(规定值以上))时，识别为不形成上述CIS系薄膜太阳电池器件的面，在通过照射上述紫外线却不产生荧光(由于Sn而产生的荧光量较少(规定值以下))时，识别为制作上述CIS系薄膜太阳电池器件膜的面。

6.根据权利要求3或4所述的CIS系薄膜太阳电池组件的制造方法，其特征在于，上述含Sn标记通过可经得住后工序的物理处理或化学处理且可利用机械或目视识别的墨水或涂料、或激光、玻璃划线针(金刚石)、喷砂等在玻璃表面作标记、伤痕等记号、而施加于青板玻璃表面外周部的规定部位。

7.根据权利要求3、4或5所述的CIS系薄膜太阳电池组件的制造方法，将青板玻璃为裁断为规定尺寸的规定张数的、制作CIS系薄膜太阳电池器件膜的制膜面(以下，称作制膜面)朝上、下、左、右中任一个方向(例如，朝上)地层叠，其中，作为原则，将不含有Sn的空气面作为制膜面，将上述层叠的青板玻璃依次逐张搬送到上述玻璃表面识别部件，通过上述玻璃表面识别部件来识别含有Sn的青板玻璃的浮面，上述玻璃表面识别部件识别出青板玻璃的不制作CIS系薄膜太阳电池器件膜的非制膜面(以下，称作非制膜面，该非制膜面例如为青板玻璃的下表面)为上述浮面时，将上述青板玻璃搬送到下一个工序(CIS系薄膜太阳电池器件制膜工序)，上述玻璃表面识别部件识别出青板玻璃的制膜面(例如，上表面)为上述浮面时，将其青板玻璃(朝上下或左右)翻转180°后搬送到下一个工序或从搬送路线中搬出。

8.根据权利要求3、4、5或6所述的CIS系薄膜太阳电池组件的制造方法，将青板玻璃为裁断为规定尺寸的规定张数的、制作CIS系薄膜太阳电池器件膜的制膜面(以下，称作制膜面)朝上、下、左、右中的任一个方向(例如，朝上)地层叠，其中，作为原则，将不含有Sn的空气面作为制膜面，将上述层叠的青板玻璃依次逐张搬送到上述玻璃表面识别部件，上述玻璃表面识别部件识别出青板玻璃的不制作CIS系薄膜太阳电池器件膜的非制膜面(以下，称作非制膜面，该非制膜面例如为青板玻璃下表面)为上述浮面时，通过上述含Sn标记施加部件对青板玻璃的非制膜面(例如，下表面)施加含Sn标记(或对不含有Sn的青板玻璃的表面施加表示不含有Sn的标记)，上述玻璃表面识别部件识别出青板玻璃的制膜面(例如，上表面)为上述浮面时，通过上述含Sn标记施加部件对青板玻璃的制膜面(例如，上表面)施加含Sn标记(或对不含有Sn的青板玻璃表面施加表示不含有Sn的标记)，在上述含Sn标记被施加到青板玻璃的非制膜面(例如，下表面)的情况下，将上述青板玻璃搬送到下一个工序(清洗工序及CIS系薄膜太阳电池器件制膜工序)，在上述含Sn标记被施加到青板玻璃的制膜面(例如，上表面)的情况下，将其青板玻璃(朝上下或左右)翻转180°后搬送到下一个工序或从搬送路线中搬出。