[发明专利]CIS系薄膜太阳电池组件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种CIS系薄膜太阳电池组件的结构及其制造方法，特别涉及一种在浮法玻璃基板的不含有Sn的空气面一侧制作太阳电池器件膜的CIS系薄膜太阳电池组件的结构及其制造方法。

背景技术

在CIS系薄膜太阳电池组件中，由于大面积化、制造成本上的关系，其CIS系薄膜太阳电池器件在由浮法制造的浮法青板玻璃基板上制膜而成。如图6所示，上述浮法青板玻璃基板是通过使熔融了的玻璃浮在熔融了的锡上并使其为规定厚度的浮法来制造的，因此，该浮法青板玻璃具有玻璃基板的浮面含有Sn、空气面不含有Sn这样的性质。并且，认为无论在浮法青板玻璃基板的浮面或空气面的哪一面上制作CIS系薄膜太阳电池器件膜，太阳电池特性等都没有显著差异。

如图2所示，本申请人发现：在浮法青板玻璃基板的不含有Sn的空气面一侧制作CIS系薄膜太阳电池器件膜时的转换效率，比在浮法青板玻璃基板的含有Sn的浮面一侧制作CIS系薄膜太阳电池器件膜时的转换效率高。

另外，在等离子显示用玻璃基板中，作为浮面的判断方法，公知有通过紫外线照射来检测由存在于浮面上的Sn发出的可见光的方法(例如，参照专利文献1)。使用浮法玻璃作为等离子显示用的玻璃基板，等离子显示装置的显示电极、数据电极使用Ag材料。其结果，在玻璃基板的浮面上涂覆了作为显示电极、数据电极的Ag材料的情况下，由于存在于浮法玻璃的浮面上的Sn和Ag材料的Ag离子之间发生氧化还原反应而生成Ag-Sn胶体，玻璃基板变为黄色，较大地损坏了显示图像的品质。为了防止这些，要求避免在浮法玻璃的浮面一侧形成电极。因此，上述专利文献1中所记载的判断浮法玻璃基板的浮面的方法为：由于其浮面含有Sn，因此，对浮法玻璃基板照射紫外线，若检测的由存在于浮面上的Sn发出的荧光为可见光，则判断该面为浮面。

在本发明的CIS系薄膜太阳电池器件的制造方法中，使用浮法青板玻璃作为基板，若在含有Sn的浮面一侧制作CIS系薄膜太阳电池器件膜，则Sn会在其光吸收层中扩散，形成不适当的缺陷黄铜矿结构，从而存在不能得到高效率的CIS系薄膜太阳电池器件这样的问题，因此，进行对其浮面与空气面的识别处理。另外，使用上述公知的等离子显示用玻璃基板的浮面判断方法来作为CIS系薄膜太阳电池器件的玻璃基板的浮面与空气面的识别处理。但是，在CIS系薄膜太阳电池器件的制造方法中，在上述玻璃基板的浮面与空气面的识别处理之后，实施玻璃基板的清洗处理，制作CIS系薄膜太阳电池器件膜，因此，即使进行上述玻璃基板的浮面与空气面的识别处理，在玻璃面未与某一方向统一的情况下，需要使玻璃面统一到某一方向。并且，玻璃面可能会由于其后的处理或保管等而发生翻转，因此在上述识别处理时，不能说明确地识别了浮面和空气面。因此，将上述玻璃基板的浮面与空气面的识别结果以可识别的形式迅速且可靠地残留在玻璃基板上是不可缺少的。

专利文献1：日本特开2004-51436号公报

发明内容

本发明解决了上述问题点，其目的在于迅速且可靠地识别浮法青板玻璃的不含Sn的空气面，对含Sn的浮面施加含Sn识别标记，使浮法青板玻璃的不含Sn的空气面统一为朝上下左右中的任一个方向，在空气面上形成CIS系薄膜太阳电池器件，从而提高CIS系薄膜太阳电池器件的转换效率及成品率，降低制造成本。

(1)本发明是一种CIS系薄膜太阳电池组件，作为浮法玻璃的青板玻璃的表面由不含Sn的空气面和含Sn的浮面构成，在上述青板玻璃的上述空气面上形成CIS(CuInSe₂系)系薄膜太阳电池器件。

(2)本发明是一种CIS系薄膜太阳电池组件的制造方法，作为浮法玻璃的青板玻璃的表面由不含Sn的空气面和含Sn的浮面构成，在上述青板玻璃的上述空气面上制作CIS(CuInSe₂系)系薄膜太阳电池器件膜。

(3)本发明是一种上述(2)所述的CIS系薄膜太阳电池组件的制造方法，通过用于识别上述青板玻璃的表面是否含有Sn的玻璃表面识别部件来识别不含有Sn的青板玻璃的空气面，在上述空气面上制作上述CIS系薄膜太阳电池器件膜。

(4)本发明是一种上述(3)所述的CIS系薄膜太阳电池组件的制造方法，通过上述玻璃表面识别部件来识别含有Sn的青板玻璃的浮面，利用含Sn标记施加部件迅速且正确地对上述浮面施加表示含有Sn的含Sn标记(或对不含有Sn的青板玻璃的空气面施加表示不含有Sn的标记)，在上述不含有Sn的青板玻璃的空气面上制作上述CIS系薄膜太阳电池器件膜。