[发明专利]晶核剂组合物的制造方法及结晶性高分子组合物

权利要求书

1.晶核剂组合物的制造方法，其包括以下工序：

第一工序，用干式的介质搅拌粉碎机进行微粉碎，直至由下述通式(I)所示的化合物的1种或2种以上所构成的晶核剂成分的95质量％以上的一次粒径达到0.8μm以下；

第二工序，将通过所述第一工序得到的晶核剂成分的微粉碎物和由下述通式(II)所示的脂肪族羧酸金属盐的1种或2种以上所构成的脂肪族羧酸金属盐成分进行混合粉碎；

式中，R¹和R²表示碳原子数为1～4的烷基，R³表示氢原子或碳原子数为1～4的烷基，R⁴表示可以具有支链、可以具有羟基、可以具有环烷基的碳原子数为1～30的脂肪族基团，M表示碱金属原子或镁原子，m在M为碱金属原子时表示1、在M为镁原子时表示2。

2.权利要求1所述的晶核剂组合物的制造方法，其特征在于，所述介质搅拌粉碎机分别具有用于将被粉碎物供给至粉碎室内的供给口和用于将微粉碎物排出的排出口，且连续运转地进行微粉碎。

3.权利要求1所述的晶核剂组合物的制造方法，其中，所述通式(I)所示的化合物的R¹和R²为叔丁基、R³为氢原子。

4.权利要求1所述的晶核剂组合物的制造方法，其中，所述通式(II)所示的脂肪族羧酸金属盐的M为锂原子。

5.权利要求1所述的晶核剂组合物的制造方法，其中，所述通式(II)所示的脂肪族羧酸金属盐的R⁴为具有羟基的基团。

6.权利要求1所述的晶核剂组合物的制造方法，其中，所述通式(II)所示的脂肪族羧酸金属盐为12-羟基硬脂酸锂。

7.权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述通式(I)所示的R¹和R²为叔丁基、R³为氢原子，所述通式(II)所示的脂肪族羧酸金属盐为12-羟基硬脂酸锂，且所述介质搅拌粉碎机分别具有用于将被粉碎物供给至粉碎室内的供给口和用于将微粉碎物排出的排出口，并连续运转地进行微粉碎。

8.权利要求1所述的晶核剂组合物的制造方法，其特征在于，用所述介质搅拌粉碎机微粉碎了的所述晶核剂成分在下述条件的X射线衍射分析中，与在2θ为6.5°～7.4°范围内的X射线衍射强度的最大值相关的相对强度为0.25～0.75的范围，

X射线衍射条件：X射线：Cu-Kα、管电压/管电流：40kV/40mA、测角器：水平测角器、单色仪：固定、配件：标准试样支架、发散狭缝：1/2°、发散垂直限制狭缝：10mm、散射狭缝：开放～0.73mm、受光狭缝：0.3mm、扫描模式：2θ/θ、扫描类型：连续扫描、扫描速度：4°/min、试样：在填充部20mm×18mm×深度0.5mm的试样板中填充0.1g、标准试样：高纯度硅粉末，该硅粉末是将单晶硅粉碎并分级到1μm以下的粒径而得到的，并具有图1所示的X射线衍射峰。

9.权利要求1所述的晶核剂组合物的制造方法，其特征在于，相对于所述第二工序中使用的晶核剂成分的微粉碎物100质量份，使用5～100质量份的由所述通式(II)所示的脂肪族羧酸金属盐的1种或2种以上所构成的脂肪族羧酸金属盐成分。

10.含有通过权利要求1～9任一项所述的制造方法获得的晶核剂组合物而形成的结晶性高分子组合物。

11.权利要求10所述的结晶性高分子组合物，其中，相对于结晶性高分子100质量份，含有0.001～10质量份的晶核剂组合物。

12.权利要求11所述的结晶性高分子组合物，其中，所述结晶性高分子为聚烯烃系高分子。

13.权利要求12所述的结晶性高分子组合物，其中，所述烯烃系高分子为聚丙烯系树脂。

14.权利要求10～13任一项所述的结晶性高分子化合物，其特征在于，其含有苯酚系抗氧化剂。

15.权利要求10～14任一项所述的结晶性高分子化合物，其特征在于，其含有磷系抗氧化剂。