[发明专利]溅射靶、低电阻率透明导电膜、该膜的制备方法及用于该方法的组合物

权利要求书

1.一种主要由以下组分组成的组合物：

a)约0.1-60摩尔％的MoO₂，

b)约0-99.9摩尔％的In₂O₃，

c)约0-99.9摩尔％的SnO₂，

d)约0-99.9摩尔％的ZnO，

e)约0-99.9摩尔％的Al₂O₃，

f)约0-99.9摩尔％的Ga₂O₃，

其中组分b)-f)之和约为40-99.9摩尔％，其中所述摩尔百分数是以产品的总量为基准计，所述组分a)-e)之和为100。

2.如权利要求1所述的组合物，其主要由以下组分组成：

a)约1-40摩尔％的MoO₂，

b)约0-99摩尔％的In₂O₃，

c)约0-99摩尔％的SnO₂，

d)约0-99摩尔％的ZnO，

e)约0-99摩尔％的Al₂O₃，

f)约0-99摩尔％的Ga₂O₃，

组分b)-f)之和约为60-99摩尔％。

3.如权利要求2所述的组合物，其主要由以下组分组成：

a)约1.5-30摩尔％的MoO₂，

b)约0-98.5摩尔％的In₂O₃，

c)约0-98.5摩尔％的SnO₂，

d)约0-98.5摩尔％的ZnO，

e)约0-98.5摩尔％的Al₂O₃，

f)约0-98.5摩尔％的Ga₂O₃，

组分b)-f)之和约为70-98.5摩尔％。

4.如权利要求3所述的组合物，其主要由以下组分组成：

a)约2-15摩尔％的MoO₂，

b)约0-85摩尔％的In₂O₃，

c)约0-85摩尔％的SnO₂，

d)约0-85摩尔％的ZnO，

e)约0-85摩尔％的Al₂O₃，

f)约0-85摩尔％的Ga₂O₃，

组分b)-f)之和约为85-98摩尔％。

5.一种主要由以下组分组成的组合物：

a)约5-10摩尔％MoO₂，

b)约90-95摩尔％In₂O₃，

其中组分a)和组分b)的总合为100摩尔％。

6.一种主要由以下组分组成的组合物：

a)约5-10摩尔％MoO₂，

c)约90-95摩尔％SnO₂，

其中组分a)和组分c)的总合为100摩尔％。

7.一种主要由以下组分组成的组合物：

a)约5-10摩尔％MoO₂，

d)约90-95摩尔％ZnO，

其中组分a)和组分d)的总合为100摩尔％。

8.一种煅烧产品，通过煅烧权利要求1所述的组合物而制得。

9.一种煅烧产品，通过煅烧权利要求5所述的组合物而制得。

10.一种煅烧产品，通过煅烧权利要求6所述的组合物而制得。

11.一种煅烧产品，通过煅烧权利要求7所述的组合物而制得。

12.一种溅射靶，包含通过煅烧权利要求1所述的组合物制得的产品。

13.一种溅射靶，包含通过煅烧权利要求5所述的组合物制得的产品。