[发明专利]在场效应晶体管中形成不对称叠加电容的结构和方法

权利要求书

1.一种用于形成用于半导体器件的不对称隔离物结构的方法，所述方法包括：

在置于半导体衬底之上的至少一对相邻隔开的栅极结构之上形成隔离物层，其中所述栅极结构被隔开，使得所述隔离物层在所述栅极结构之间的区域中以第一厚度形成并且在别处以第二厚度形成，所述第二厚度大于所述第一厚度；以及

蚀刻所述隔离物层，使得形成与所述一对相邻隔开的栅极结构的侧壁相邻的不对称隔离物结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述不对称隔离物结构进一步包括偏移隔离物，用于晕圈和扩展注入区域的限定。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述不对称隔离物结构进一步包括在偏移隔离物之上形成的第二隔离物，所述第二隔离物用于源极和漏极区的限定。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述一对相邻隔开的栅极结构之间的距离是所述栅极结构的高度的1至3倍。

5.一种用于形成用于半导体器件的场效应晶体管(FET)结构的方法，所述方法包括：

在半导体衬底之上形成至少一对相邻隔开的栅极结构；

在所述相邻隔开的栅极结构之上形成隔离物层，其中所述栅极结构被隔开，使得所述隔离物层在所述栅极结构之间的区域中以第一厚度形成并且在别处以第二厚度形成，所述第二厚度大于所述第一厚度；

蚀刻所述隔离物层，使得形成与所述一对相邻隔开的栅极结构的侧壁相邻的不对称隔离物结构；以及

使衬底注入有掺杂区，所述掺杂区根据所述不对称隔离物结构具有不对称特征。

6.根据权利要求5所述的方法，其中对应于所述隔离物层的所述第一厚度的隔离物结构比对应于所述隔离物层的所述第二厚度的隔离物结构薄。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述不对称隔离物结构进一步包括偏移隔离物，并且所述掺杂区进一步包括晕圈和扩展注入后的源极/漏极扩展。

8.根据权利要求7所述的方法，其中对应于较薄偏移隔离物的所述扩展具有比对应于较厚偏移隔离物的所述扩展长的栅极叠加。

9.根据权利要求6所述的方法，其中所述不对称隔离物结构进一步包括在偏移隔离物之上形成的第二隔离物，并且所述掺杂区进一步包括源极和漏极区。

10.根据权利要求9所述的方法，其中对应于较薄第二隔离物的所述掺杂区进一步包括源极区，并且对应于较厚第二隔离物的所述掺杂区进一步包括漏极区。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述源极区具有比所述漏极区短的扩展。

12.根据权利要求6所述的方法，其中所述一对相邻隔开的栅极结构之间的距离是所述栅极结构的高度的1至3倍。

13.一种半导体器件，包括：

至少一对场效应晶体管(FET)结构，包括在半导体衬底之上形成的一对相邻隔开的栅极结构；

所述一对FET结构的每个具有邻近其侧壁的通过不均匀层形成的一对不对称隔离物结构；

其中位于所述一对栅极结构之间的区域中的内部隔离物结构比位于所述一对栅极结构的外部的外部隔离物结构薄。

14.根据权利要求13所述的器件，其中所述不对称隔离物结构进一步包括偏移隔离物，用于晕圈和扩展注入区域的限定。

15.根据权利要求13所述的器件，进一步包括所述衬底内注入的扩展，其中对应于较薄偏移隔离物的所述扩展具有比对应于较厚偏移隔离物的所述扩展长的栅极叠加。

16.根据权利要求13所述的器件，其中所述不对称隔离物结构进一步包括在偏移隔离物之上形成的第二隔离物，用于源极和漏极区的限定。

17.根据权利要求16所述的器件，进一步包括所述衬底内注入的源极和漏极区，其中所述源极区对应于较薄第二隔离物，并且所述漏极区对应于较厚第二隔离物。

18.根据权利要求17所述的器件，其中所述源极区具有比所述漏极区短的扩展。

19.根据权利要求13所述的器件，其中所述一对相邻隔开的栅极结构之间的距离是所述栅极结构的高度的1至3倍。