[发明专利]半导体衬底及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体衬底，其特征在于，

具有由单晶半导体构成的衬底(1)和形成在所述衬底(1)的表面上且由单晶构成的半导体层(2)，在所述衬底(1)的与器件形成区域不同的定位区域，在所述衬底(1)中形成成为定位标记的空隙(3)。

2.一种半导体衬底，其特征在于，

具有由单晶半导体构成的衬底(21)和形成在所述衬底(21)的表面上且由单晶构成的半导体层(22)，在所述半导体层(22)的与器件形成区域不同的定位区域，在所述半导体层(22)中形成成为定位标记的空隙(25)。

3.根据权利要求1或2的半导体衬底，其特征在于，

在半导体层的器件形成区域形成形成沟槽(4，23)，在该沟槽内形成外延生长的杂质扩散层(5，24)。

4.根据权利要求1至3的任意一项的半导体衬底，其特征在于，

等间隔地配置有多个空隙。

5.一种半导体衬底的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

准备由单晶半导体构成的衬底(1)；

在所述衬底(1)上配置掩模材料(10)，该掩模材料(10)在该衬底的与器件形成区域不同的定位区域形成有开口部；

在由所述掩模材料(10)覆盖的状态下刻蚀所述衬底(1)，在所述定位区域形成定位标记形成用沟槽(11)；

一边使得在所述定位标记形成用沟槽中形成空隙(3)，一边在所述衬底表面上形成由单晶构成的半导体层(2)。

6.根据权利要求5的半导体衬底的制造方法，其特征在于，

在形成定位标记形成用沟槽的步骤中，使该定位标记形成用沟槽的宽度为1～50μm。

7.一种半导体衬底的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

准备由单晶半导体构成的衬底(21)；

在所述衬底(21)的表面，形成由单晶构成的半导体层(22)；

在所述半导体层(22)上配置第一掩模材料(30)，该第一掩模材料(30)在该半导体层(22)的与器件形成区域不同的定位区域形成有开口部；

在由所述第一掩模材料(30)覆盖的状态下刻蚀所述半导体层，在所述定位区域形成定位标记形成用沟槽(31)；

在除去所述第一掩模材料(30)之后，在所述半导体层的表面上配置第二掩模材料(32)，该第二掩模材料(32)在该半导体层的所述器件形成区域形成有开口部；

在由所述第二掩模材料(32)覆盖的状态下刻蚀所述半导体层，在所述器件形成区域形成器件用沟槽(23)；

在除去所述第二掩模材料(32)之后，一边使得在所述定位标记形成用沟槽中形成空隙(25)，一边以埋设所述器件用沟槽内的方式形成外延膜(33)；

对所述外延膜的形成在所述器件用沟槽外的部分进行平坦化处理。

8.一种半导体衬底的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

准备由单晶半导体构成的衬底(21)；

在所述衬底的表面，形成由单晶构成的半导体层(22)；

在所述半导体层的表面配置第一掩模材料(32)，该第一掩模材料(32)在该半导体层的所述器件形成区域形成有开口部；

在由所述第一掩模材料覆盖的状态下刻蚀所述半导体层，在所述器件形成区域形成器件用沟槽(23)；

在除去所述第一掩模材料之后，在所述半导体层上配置第二掩模材料(30)，该第二掩模材料(30)在该半导体层的与器件形成区域不同的定位区域形成有开口部；

在由所述第二掩模材料覆盖的状态下刻蚀所述半导体层，在所述定位区域形成定位标记形成用沟槽(31)；

在除去所述第二掩模材料之后，一边使得在所述定位标记形成用沟槽中形成空隙(25)，一边以埋设所述器件用沟槽内的方式形成外延膜(33)；

对所述外延膜的形成在所述器件用沟槽外的部分进行平坦化处理。

9.根据权利要求7或8的半导体衬底的制造方法，其特征在于，

在形成定位标记形成用沟槽的步骤中，使该定位标记形成用沟槽的深度比所述器件用沟槽的宽度深。

10.根据权利要求9的半导体衬底的制造方法，其特征在于，

在形成定位标记形成用沟槽的步骤中，以所述衬底也被刻蚀的方式对该定位标记形成用沟槽进行加深。