[发明专利]用于邻近校正和检查的体现设计者意图的容差带有效

专利信息
申请号: 200680037958.1 申请日: 2006-10-11
公开(公告)号: CN101288080A 公开(公告)日: 2008-10-15
发明(设计)人: S·M·曼斯费尔德;L·W·利布曼;I·格罗尔;A·克拉斯诺佩罗瓦 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 于静;杨晓光
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 邻近 校正 检查 体现 设计者 意图 容差带
【权利要求书】:

1.一种设计掩模版图的方法,包括以下步骤:

提供包括多个设计层的电路设计,所述设计层包括在两维平面上设置的特征,所述设计层彼此沿第三维度对准;

识别包括将在衬底上形成的关键特征的所述多个设计层中的选择的设计层;

识别约束区域,所述约束区域与不同于所述选择的设计层的所述多个设计层中的一个设计层上的影响特征相关,其中所述影响特征与所述关键特征相互作用,所述约束区域与一个或多个约束相关;以及

确定与所述关键特征相关的容差带,其中所述容差带限定了这样的区域,在所述区域中当在所述衬底上形成所述关键特征时所述关键特征将满足预先确定的标准,以及其中所述容差带包括由与所述约束区域相关的所述一个或多个约束所约束的边缘。

2.根据权利要求1的方法,其中所述约束区域包括与所述影响特征相关的容差带。

3.根据权利要求1的方法,其中所述约束区域包括用于所述影响特征的标称工艺偏差、CD容差、或电学容差、或其组合。

4.根据权利要求1的方法,还包括如果在所述多个设计层中的所述选择的设计层上的所述关键特征成为了与所述选择的设计层不同的设计层上的特征的影响特征,那么使用所述容差带作为约束区域。

5.根据权利要求1的方法,其中所述约束区域还包括:

用于所述影响特征的CD容差,所述影响特征在与所述选择的设计层不同的所述多个设计层中的所述一个设计层上;以及

覆盖容差,所述覆盖容差为相对于在所述多个设计层中的所述选择的设计层上的所述关键特征的所述影响特征的覆盖容差。

6.根据权利要求1的方法,其中所述约束区域还包括:

用于所述影响特征的容差带,所述影响特征在与所述选择的设计层不同的所述多个设计层中的所述一个设计层上;以及

覆盖容差,所述覆盖容差为相对于在所述多个设计层中的所述选择的设计层上的所述关键特征的所述影响特征的覆盖容差。

7.根据权利要求1的方法,其中所述一个或多个约束在所述约束区域内变化。

8.根据权利要求1的方法,其中所述一个或多个约束包括了对于统计工艺变化的考虑。

9.根据权利要求7的方法,其中所述一个或多个约束包括了对于统计工艺变化的考虑。

10.根据权利要求1的方法,还包括:

预先选择所述多个设计层的子集以便所述层的子集中的每一个包括关键特征;

在识别选择的设计层的所述步骤之前,根据预先确定的标准排序所述子集;以及

进行识别选择的设计层的所述步骤,识别约束区域,和按所述排序的顺序为所述子集中的每一个确定容差带。

11.根据权利要求10的方法,其中按图像处理难度递增的顺序进行所述排序。

12.根据权利要求1的方法,还包括对所述一个或多个约束进行平滑操作以形成一个或多个平滑的约束,并且其中根据所述一个或多个平滑的约束来约束所述容差带的所述边缘。

13.一种包括计算机可用的存储介质的计算机程序产品,所述计算机可用的存储介质具有嵌入其中的计算机可读的程序,其中当在计算机上执行所述计算机可读的程序时,所述计算机可读的程序使所述计算机实施以下步骤:

提供包括多个设计层的电路设计,所述设计层包括在两维平面上设置的特征,所述设计层彼此沿第三维度对准;

识别包括将在衬底上形成的关键特征的所述多个设计层中的选择的设计层;

识别约束区域,所述约束区域与不同于所述选择的设计层的所述多个设计层中的一个设计层上的影响特征相关,其中所述影响特征与所述关键特征相互作用,所述约束区域与一个或多个约束相关;以及

确定与所述关键特征相关的容差带,其中所述容差带限定了这样的区域,在所述区域中当在所述衬底上形成所述关键特征时所述关键特征将满足预先确定的标准,以及其中所述容差带包括由与所述约束区域相关的所述一个或多个约束所约束的边缘。

14.根据权利要求13的计算机程序产品,其中所述约束区域包括与所述影响特征相关的容差带。

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