[发明专利]半导体激光发光装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体激光发光装置，其具有一个基板、红外用的红外激光发光元件、和红色用的红色激光发光元件，该半导体激光发光装置的特征在于：

所述红外激光发光元件具有由所述基板上的第一下层包层、该第一下层包层上的第一活性层、和该第一活性层上的第一上层包层构成的叠层结构，

所述第一下层包层由在所述基板的整个上表面形成的第三下层包层、在所述第三下层包层的整个上表面形成的蚀刻阻挡层、和在位于所述蚀刻阻挡层的上表面且形成所述红外激光发光元件的区域形成的第四下层包层构成，

所述红色激光发光元件具有由所述蚀刻阻挡层上的第二下层包层、该第二下层包层上的第二活性层、和该第二活性层上的第二上层包层构成的叠层结构，

所述第二下层包层，形成于位于所述蚀刻阻挡层的上表面且形成所述红外激光发光元件的区域以外的区域。

2.如权利要求1所述的半导体激光发光装置，其特征在于：

所述第一活性层与所述第二活性层借助所述第三下层包层和所述蚀刻阻挡层，距离所述基板上表面的高度位置大致相同。

3.如权利要求1或2所述的半导体激光发光装置，其特征在于：

所述第三下层包层和所述第四下层包层由n型AlGaAs形成，所述蚀刻阻挡层由InGaP形成，所述第一活性层由AlGaAs形成，所述第二下层包层由n型InGaAlP形成，所述第二活性层由InGaP形成。

4.一种半导体激光发光装置的制造方法，该制造方法制造在一个基板的上表面设置有红外激光发光元件和红色激光发光元件的半导体激光发光装置，其特征在于，包括：

第一外延工序，该第一外延工序在所述基板的整个上表面形成构成第一下层包层的第三包层，在所述第三下层包层的整个上表面形成蚀刻阻挡层，在所述蚀刻阻挡层的整个上表面形成构成所述第一下层包层的第四下层包层，在所述第四下层包层的上表面形成第一活性层，在所述第一活性层的上表面形成第一上层包层，从而形成第一叠层体；

第一蚀刻工序，该第一蚀刻工序除去在所述第一叠层体中成为所述红外激光发光元件的部分以外的部分，使位于所述蚀刻阻挡层的上表面且成为所述红外激光发光元件的部分以外的部分露出；

第二外延工序，该第二外延工序在通过所述第一蚀刻工序保留的所述第一叠层体和露出的所述蚀刻阻挡层的上表面，形成第二下层包层，在所述第二下层包层的上表面形成第二活性层，在所述第二活性层的上表面形成所述第二上层包层，从而形成第二叠层体；和

第二外延工序，该第二外延工序除去所述第二叠层体中的成为所述红色激光发光元件的部分以外的部分。