[发明专利]半导体激光发光装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及具有红外激光发光元件和红色激光发光元件的半导体激光装置及其制造方法。

背景技术

在作为现有技术的专利文献1中，提案有两波长型的半导体激光装置。该半导体激光装置在一个基板上并列设置有红外激光发光元件和红色激光发光元件。该半导体激光装置具有单片(monolithic)结构。红外激光发光元件和红色激光发光元件发出波长互不相同的激光。

红外发光元件构成为，叠层有n型的第一下层包(clad)层、第一活性层和p型的第一上层包层。红色激光发光元件构成为，叠层有n型的第二下层包层、第二活性层和p型的第二上层包层。

以下，对该半导体激光装置的制造方法进行说明。在该制造方法中，在一个基板的整个上表面上形成第一叠层体。第一叠层体按照n型的第一下层包层、第一活性层和p型的第一上层包层的顺序叠层而成。在该第一叠层体中，保留形成红外激光发光元件的部分，在第一蚀刻工序中除去其以外的部分。由此，在基板的上表面露出形成红外激光发光元件的部分以外的部分。

接着，在基板的上表面的在第一蚀刻工序中露出的部分和形成红外激光发光元件的部分的全体上形成第二叠层体。第二叠层体按照n型的第二下层包层、第二活性层和p型的第二上层包层的顺序叠层而成。在第二叠层体中，保留形成红色激光发光元件的部分，在第二蚀刻工序中除去其以外的部分。

在作为另一现有技术的专利文献2中提案有另一结构的半导体激光装置。另一结构的半导体激光装置在红色激光发光元件的基板与第二下层包层之间形成有提高加固层(高度调整用缓冲层)，在这点上，专利文献2记载的半导体激光装置与专利文献1中记载的半导体激光装置不同。

以下，对专利文献2中记载的半导体激光装置的制造方法加以说明。利用该制造方法，在一个基板的整个上表面形成第一叠层体。第一叠层体按照n型的第一下层包层、第一活性层和p型的第一上层包层的顺序叠层而成。在该第一叠层体中保留形成红外激光发光元件的部分，在第一蚀刻工序中除去其以外的部分。由此，在基板的上表面露出形成红外激光发光元件的部分以外的部分。

接着，在基板的上表面的在第一蚀刻工序中露出的部分形成提高加固层(高度调整用缓冲层)。接着，在形成提高加固层和红外激光发光元件的部分的全体上形成第二叠层体。第二叠层体按照n型的第二下层包层、第二活性层和p型的第二上层包层的顺序叠层而成。在该第二叠层体中保留形成红色激光发光元件的部分，在第二蚀刻工序中除去其以外的部分。

专利文献1：日本国特开2001-244569号公报

专利文献2：日本国特开2001-320132号公报；

可是，在这些半导体激光装置中，红外激光发光元件的第一活性层和红色激光发光元件的第二活性层，由于组装或光学系统上等的理由实质上必需使距离基板上表面的高度位置一致。

另一方面，红色激光发光元件的第二下层包层的组成成分与红外激光发光元件的第一下层包层不同。因此，能够使第二下层包层的厚度比第一下层包层的厚度大幅减小。

在专利文献1记载的制造方法中，第二叠层体的第二下层包层的厚度与第一叠层体的第一下层包层的厚度相同。这样，实质上使第一活性层与第二活性层的高度位置一致。如上所述，第二叠层体的厚度虽然能够减小，但为了使第一活性层与第二活性层的高度位置一致，而使第二下层包层的厚度增厚。因此，在生长形成第二下层包层的成膜工序中，需要较长的时间。

并且，在专利文献1记载的制造方法中，由于增厚形成第二下层包层，仅此即使成膜用的原材料的使用量变多。因此，存在导致制造成本大幅提高的问题。

与此相对，在专利文献2记载的制造方法中，在第一蚀刻工序中露出的部分上形成提高加固层，在该提高加固层的上表面上形成第二下层包层。因此，能够使第二下层包层的厚度减小与提高加固层的厚度相当的量。并且，通过调整第二下层包层的厚度，能够使第一活性层与第二活性层的高度位置实质上一致。

但是，在专利文献2记载的制造方法中。在第一蚀刻工序中形成第一叠层体后，必需另外设置用于形成提高加固层的成膜工序。因此，存在导致制造成本大幅增大的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而完成的。本发明的目的是提供能够消除上述问题的半导体激光发光装置及其制造方法。