[发明专利]存储器单元布局及工艺流程

权利要求书

1.一种包含集成电路的系统，所述集成电路包含：

有源区，其包含共享源极的至少两个漏极；

至少两个平行字线，其具有第一间距，所述第一间距小于用于形成所述集成电路 的光刻技术的最小分辨率(F)的两倍，其中所述字线中的至少一者与所述有源区相交， 所述第一间距由两个相邻字线的相同点之间的距离限定，所述平行字线中的两个在所 述有源区附近延伸；及

至少两个数字线，其具有第二间距，所述第二间距大于所述最小分辨率(F)的2.5 倍，其中所述数字线中的至少一者电耦合到所述源极，所述第二间距由两个相邻数字 线的相同点之间的距离限定。

2.如权利要求1所述的系统，其中：

第一字线的至少一部分位于所述源极与所述至少两个漏极中的第一者之间；及

第二字线的至少一部分位于所述源极与所述至少两个漏极中的第二者之间。

3.一种存储器装置，其包含：

线性有源区，其包含界定第一轴线的源极及至少两个漏极；

至少两个平行字线，其由第一间距界定，第一字线的至少一部分位于所述源极与 所述至少两个漏极中的第一者之间，且第二字线的至少一部分位于所述源极与所述至 少两个漏极中的第二者之间，所述平行字线中的两个在所述线性有源区附近延伸；及

至少两个数字线，其由第二间距界定，所述数字线中的一者耦合到所述源极并形 成第二轴线；

其中所述第一与第二轴线之间的锐角介于10度到80度的范围内，且其中所述第 一及第二间距中的一者大于用于形成所述存储器装置的光刻技术的最小分辨率(F)的 2.5倍，且所述存储器装置的所述第一及第二间距中的另一者小于所述最小分辨率(F) 的两倍。

4.如权利要求3所述的存储器装置，其中所述第二间距介于所述最小分辨率(F) 的2.75倍与3.25倍之间。

5.如权利要求4所述的存储器装置，其中所述第二间距等于所述最小分辨率(F) 的三倍。

6.如权利要求3所述的存储器装置，其中所述第一间距小于所述最小分辨率(F) 的两倍。

7.如权利要求3所述的存储器装置，其中所述字线由小于所述最小分辨率(F)的 宽度界定。

8.如权利要求7所述的存储器装置，其中所述字线的宽度小于60nm。

9.如权利要求3所述的存储器装置，其中所述字线中的至少一者具有等于所述 最小分辨率(F)1/2的宽度。

10.如权利要求9所述的存储器装置，其中所述字线中的至少一者的宽度介于30 与50nm之间。

11.如权利要求3所述的存储器装置，其中所述字线通过间距加倍技术形成。

12.如权利要求3所述的存储器装置，其中所述字线的顶部位于所述源极的顶部 及所述至少两个漏极的顶部下方。

13.一种制造存储器装置的方法，所述方法包含：

提供衬底；

在所述衬底内界定至少一个有源区，所述有源区具有形成线的源极及漏极，沿所 述线界定有第一轴线；

通过间距加倍技术在所述衬底内界定至少一对字线，其中所述一对字线具有第一 间距，所述第一间距小于用于形成所述存储器装置的光刻技术的最小分辨率(F)的两 倍，所述一对字线在单个有源区附近延伸；及

在所述衬底上方界定至少两个数字线，所述数字线中的一者的至少一部分在所述 源极上方沿第二轴线延伸，其中所述至少两个数字线具有第二间距，所述第二间距大 于所述最小分辨率(F)的2.5倍。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述有源区包括一个源极及两个漏极。

15.如权利要求13所述的方法，其中所述字线中的至少一者由小于所述最小分 辨率(F)的宽度来界定。

16.如权利要求13所述的方法，其中所述至少两个数字线具有介于所述最小分 辨率(F)的2.75倍与3.25倍之间的间距。