[发明专利]激光加工方法有效

专利信息
申请号: 200680043210.2 申请日: 2006-11-16
公开(公告)号: CN101313387A 公开(公告)日: 2008-11-26
发明(设计)人: 坂本刚志 申请(专利权)人: 浜松光子学株式会社
主分类号: H01L21/301 分类号: H01L21/301;B23K26/40;B23K26/16;B23K101/40;B23K26/38
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 刘春成
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 激光 加工 方法
【权利要求书】:

1.一种激光加工方法,其特征在于,包含:

在板状的加工对象物的内部对准聚光点并照射激光,由此沿着所述加工对象物的切断预定线,在所述加工对象物的内部形成成为切断的起点的改质区域的工序,及

经由具有弹性的薄片对所述加工对象物施加应力,由此以所述改质区域为切断的起点而沿着所述切断预定线切断所述加工对象物,并使由此得到的多个芯片相互分开的工序,

在经由所述薄片对所述加工对象物施加应力时,使所述加工对象物相对于所述薄片为上侧,且以使得在相互分开的所述芯片之间从所述芯片的切断面产生的微粒因自重而落在所述薄片上的方式,从上侧对所述加工对象物的形成物质照射软X射线,使所述加工对象物周围的氛围气因光电离而离子化。

2.如权利要求1所述的激光加工方法,其特征在于,

在使所述芯片相互分开的工序中,通过经由所述薄片对所述加工对象物施加应力,以所述改质区域为切断的起点而沿着所述切断预定线将所述加工对象物切断成所述芯片。

3.如权利要求1所述的激光加工方法,其特征在于,

所述加工对象物具备半导体基板,所述改质区域包含熔融处理区域。

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