[发明专利]激光加工方法有效
申请号: | 200680043210.2 | 申请日: | 2006-11-16 |
公开(公告)号: | CN101313387A | 公开(公告)日: | 2008-11-26 |
发明(设计)人: | 坂本刚志 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;B23K26/40;B23K26/16;B23K101/40;B23K26/38 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘春成 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 加工 方法 | ||
1.一种激光加工方法,其特征在于,包含:
在板状的加工对象物的内部对准聚光点并照射激光,由此沿着所述加工对象物的切断预定线,在所述加工对象物的内部形成成为切断的起点的改质区域的工序,及
经由具有弹性的薄片对所述加工对象物施加应力,由此以所述改质区域为切断的起点而沿着所述切断预定线切断所述加工对象物,并使由此得到的多个芯片相互分开的工序,
在经由所述薄片对所述加工对象物施加应力时,使所述加工对象物相对于所述薄片为上侧,且以使得在相互分开的所述芯片之间从所述芯片的切断面产生的微粒因自重而落在所述薄片上的方式,从上侧对所述加工对象物的形成物质照射软X射线,使所述加工对象物周围的氛围气因光电离而离子化。
2.如权利要求1所述的激光加工方法,其特征在于,
在使所述芯片相互分开的工序中,通过经由所述薄片对所述加工对象物施加应力,以所述改质区域为切断的起点而沿着所述切断预定线将所述加工对象物切断成所述芯片。
3.如权利要求1所述的激光加工方法,其特征在于,
所述加工对象物具备半导体基板,所述改质区域包含熔融处理区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造