[发明专利]激光加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及用于将板状的加工对象物沿着切断预定线切断用的激光加工方法。

背景技术

作为以往的这种技术有，使对于晶片具有透过性的激光沿着分割预定线照射在晶片上，由此在晶片的内部沿着分割预定线形成变质层之后，使粘贴在晶片一侧面上的可伸展的保护带扩张，以将晶片沿着变质层进行分割的晶片分割方法(例如，参阅日本专利文献1)。

日本专利文献1：特开2005-129607号公报

发明内容

但是，在利用上述的方法将晶片分割为多个芯片时，会有微粒附着在芯片上。尤其是对于具有脆弱薄膜的MEMS晶片等，需要确实地防止微粒附着在将晶片切断后所获得芯片上。

因此，本发明有鉴于以上的问题，目的在于提供一种可确实防止微粒附着在切断板状加工对象物所得的芯片上的激光加工方法。

为了达成上述目的，本发明的激光加工方法，其特征在于，包含：在板状的加工对象物的内部对准聚光点并照射激光，由此沿着加工对象物的切断预定线，在加工对象物的内部形成成为切断的起点的改质区域的工序，及经由具有弹性的薄片对加工对象物施加应力，由此以改质区域为切断的起点而沿着切断预定线切断加工对象物，并使由此得到的多个芯片相互分开的工序，在经由薄片对加工对象物施加应力时，对加工对象物的形成物质除去静电。

该激光加工方法中，在经由薄片对加工对象物施加应力时，除去加工对象物的形成物质的静电。由此，以改质区域为切断的起点沿着切断预定线切断加工对象物所得的芯片的切断面所产生的微粒不致任意地飞散，例如落下到薄片上。因此，根据该激光加工方法，可确实防止微粒附着在切断板状加工对象物所得的芯片上。

此外，通过将聚光点对准于加工对象物的内部并照射激光，而在加工对象物的内部产生多光子吸收以外的光吸收，由此形成作为切断起点的改质区域。另外，所谓加工对象物的形成物质是指，形成加工对象物的物质，或曾经是形成加工对象物的物质，具体而言，具有形成有改质区域的加工对象物、切断加工对象物所得的芯片、从该芯片的切断面产生的微粒等。

本发明的激光加工方法，其特征在于，包含：在板状的加工对象物的内部对准聚光点并照射激光，由此沿着加工对象物的切断预定线，在加工对象物的内部形成成为切断的起点的改质区域的工序，及经由具有弹性的薄片对加工对象物施加应力，由此以改质区域为切断的起点而沿着切断预定线切断加工对象物，并使由此得到的多个芯片相互分开的工序，在经由薄片对加工对象物施加应力时，对加工对象物的形成物质照射软X射线。

在以上的激光加工方法中，在经由薄片对加工对象物施加应力时，对加工对象物的形成物质照射软X射线。由此，从以改质区域为切断起点沿着切断预定线切断加工对象物所得的芯片的切断面产生的微粒不致任意地飞散，例如落下于薄片上。因此，根据该激光加工方法，可确实地防止微粒附着在因切断板状加工对象物所得的芯片上。

在本发明的激光加工方法中，使芯片相互分开的工序有经由薄片对加工对象物施加应力，并以改质区域作为切断的起点沿着切断预定线将加工对象物切断成芯片的情况。

在本发明的激光加工方法中，加工对象物具备半导体基板，改质区域有包含熔融处理区域的情况下。

根据本发明，可确实地防止微粒附着在切断板状的加工对象物所得的芯片上。

附图说明

图1为根据本实施方式的激光加工方法的激光加工中的加工对象物的平面图。

图2是沿着图1所示加工对象物的II-II线的剖面图。

图3为根据本实施方式的激光加工方法的激光加工后的加工对象物的平面图。

图4是沿着图3所示加工对象物的IV-IV线的剖面图。

图5是沿着图3所示加工对象物的V-V线的剖面图。

图6为利用本实施方式的激光加工方法所切断的加工对象物的平面图。

图7是表示本实施方式的激光加工方法的峰值功率和破裂点大小的关系的图表。

图8是表示本实施方式的激光加工方法的第1工序的加工对象物的剖面图。

图9是表示本实施方式的激光加工方法的第2工序的加工对象物的剖面图。

图10是表示本实施方式的激光加工方法的第3工序的加工对象物的剖面图。

图11是表示本实施方式的激光加工方法的第4工序的加工对象物的剖面图。

图12是表示利用本实施方式的激光加工方法所切断的硅晶片一部分的断面照片的图。

图13是表示本实施方式的激光加工方法的激光的波长和硅基板的内部透过率的关系图表。

图14是表示作为第1实施方式的激光加工方法的对象的加工对象物的平面图。