[发明专利]使用电压可变介电材料的发光设备

权利要求书

1.一种发光设备，包括：

一个通过在至少第一终端和第二终端之间运载电流而发光的部 件，其中所述部件由半导体材料形成；

一种电压可变介电（VSD）材料，该VSD材料被构造为具有这样的 特性：（i）在没有超过VSD材料的特征电压水平的电压时是绝缘的， 以及（ii）在施加超过该特征电压水平的电压时是导电的；

其中所述VSD材料是具有如下特征的基于有机聚合物的组合物； 以及

其中所述VSD材料被设置为和以下项中的任何一个或多个接触： （i）所述部件的半导体材料，（ii）所述部件的第一终端，（iii）所 述部件的第二终端，（iv）从第一终端延伸的第一引线，或（v）从第 二终端延伸的第二引线，以对该部件提供接地，抵抗任何超过该VSD 材料的特征电压水平的瞬态电压。

2.根据权利要求1的设备，其中，所述部件是二极管。

3.根据权利要求1的设备，其中所述VSD材料位于第一引线和第 二引线之间，并与第一引线和第二引线接触。

4.根据权利要求1的设备，其中，所述部件被设置在基底上，以 及其中所述VSD材料被设置在基底上。

5.根据权利要求1的设备，其中，所述部件由有机聚合物形成。

6.根据权利要求1的设备，其中，所述VSD材料还被提供在基底 上，以位于以下项中的任何一个或多个之下：（i）所述由半导体材料 形成的部件，（ii）所述部件的第一终端，（iii）所述部件的第二终端， （iv）第一终端的第一引线，或者（v）第二终端的第二引线。

7.根据权利要求1的设备，其中所述设备具有特征击穿电压，该 特征击穿电压对应于被施加到所述部件上时会导致所述设备损坏的最 小电压值，以及其中所述VSD材料的特征电压值低于该特征击穿电压。

8.一种发光设备，包括：

一个半导体部件，该半导体部件被配置成在对其施加电流时发光；

一种被耦接到该半导体部件的电压可变介电（VSD）材料，其中， 该VSD材料被构造成具有这样的特性：（i）在没有超过VSD材料的特 征电压水平的电压时是绝缘的，以及（ii）在施加超过该特征电压水 平的电压时是导电的；

其中所述VSD材料是具有如下特征的基于有机聚合物的组合物； 以及

其中所述VSD材料被设置为和以下项中的任何一个或多个接触： （i）所述半导体部件，（ii）所述半导体部件的第一终端，（iii）所 述半导体部件的第二终端，（iv）从第一终端延伸的第一引线，或（v） 从第二终端延伸的第二引线，以便当VSD材料是导电的时候，将电流 导离半导体。

9.根据权利要求8的设备，其中，所述半导体部件是二极管。

10.根据权利要求8的设备，其中，所述设备具有特征击穿电压， 该特征击穿电压对应于被施加到所述部件上时会导致所述设备损坏的 最小电压值，以及其中该VSD材料的特征电压值低于该特征击穿电压。

11.根据权利要求8的设备，其中，所述VSD材料被施加到所述半 导体部件安装在其上的一基底上。

12.根据权利要求11的设备，其中，所述VSD材料用来将所述半 导体部件贴附到基底上。

13.根据权利要求8的设备，其中，所述半导体部件包括第一终端 和第二终端，以及其中所述VSD材料与第一终端和第二终端中的一个 或两个电接触。

14.根据权利要求13的设备，其中，所述VSD材料在从第一终端 延伸的第一引线和从第二终端延伸的第二引线之间延伸，并与它们接 触。

15.根据权利要求8的设备，其中，该设备还包括一个盒子，以及 其中所述VSD材料和盒子还被设置在一起，或被设置作为盒子的一部 分。