[发明专利]使用电压可变介电材料的发光设备

说明书

相关申请

本申请要求于2005年9月29日提交的美国临时专利申请60/740, 961的优先权，该临时专利申请的名称为“Light Emitting Devices With ESD Characteristics”，此处通过援引的方式将前述申请纳入 本文。

该申请还要求2005年9月22日提交的美国临时专利申请60/739, 725的优先权，该临时专利申请的名称为“RFID Tag Using Voltage   Switchable Dielectric Material”，此处通过援引的方式将前述申请 纳入本文。

技术领域

公开的实施方案总体涉及发光设备领域。更具体地，此处所描述 的实施方案包括集成或纳有电压可变介电材料(voltage switchable dielectric material)的发光设备。

背景技术

传统的发光结构，例如白炽灯泡，正在被诸如LED和OLED之类 效率更高，功率更强的发光结构所取代。虽然新的发光结构给出了更 多的优点，但它们同时也更为昂贵，更难以制造以及经常还要用到特 殊材料。而且，虽然这种新设备可能比传统发光结构具有相对较长的 寿命，但LED和OLED暴露在瞬态电条件下时则可能会损坏(fail)。 特别是，有机和无机发光设备，包括用于这些设备中的半导体芯片和 聚合物，对静电放电(ESD)和诸如电过应力(EOS)、电磁脉冲(EMP) 等其他电压瞬态高度敏感。这些设备过去都是由雪崩二极管或聚合物 电涌抑制器来保护的。

附图说明

图1是根据本发明实施方案的，被构造为纳有或集成了VSD材料 的发光设备的框图。

图2是根据本发明一个实施方案的，被构造成包括VSD材料的发 光二极管的简化示意图。

图3示出了根据本发明的一个或多个实施方案的，被构造成含有 VSD材料的LED设备。

图4示出了根据本发明的被安装到一个纳有VSD材料的垫底基底 或平台上的LED设备。

图5示出了又一个实施方案，其中，一个或多个LED设备根据本 发明实施方案被安装到一个纳有VSD材料的垫底基底(underlying substrate)或其他多元件平台上。

图6示出了一个根据本发明实施方案构造的OLED设备610。

图7示出了一项根据本发明实施方案的用于形成那集成了VSD材 料的发光设备的技术。

图8A-图8E示出了根据本发明一个或多个实施方案的，用于形成 LED设备的过程。

具体实施方式

此处所描述的实施方案提供了电压可变介电材料(VSD)作为发光 部件的一部分的应用，该发光部件包括LED和OLED。VSD材料可以被 提供作为封装的一部分，或与这类发光设备的电部件和元件集成或组 合。如一个或多个实施方案所提供的，VSD材料的集成可保护发光设 备免受诸如静电放电(ESD)和电过应力(EOS)之类的电压瞬态的影 响，以及免受潮湿、冲击和其他电学或机械的危害。

实施方案还包括用于保护发光结构(包括LED和OLED)免受ESD 事件的装置设计和技术。特别是，一个或多个实施方案提供了将VSD 材料用于将ESD事件遮蔽在LED或OLED之外。

如此处所用的，“电压可变材料”或“VSD材料”是任何具有如下 特征的组合物或组合物的组合，其中所述特征为：材料一直是介电的 或不导电的，除非对该材料施加一个超过材料特征电压水平的电压， 在后一情况下，材料变为导电的。因此，VSD材料是介电的，除非有 一超过特征水平的电压(例如，由ESD事件引起的)被作用到材料上， 在这种情况下，VSD材料是导电的。VSD材料还可以被表征为任何可以 被表征为非线性电阻材料的材料。

存在各种各样的VSDM。诸如美国专利4,977,357，美国专利 5,068,634，美国专利5,099,380，美国专利5,142,263，美国专利 5,189,387，美国专利5,248,517，美国专利5,807,509，WO 96/02924 和WO 97/26665之类的文献给出了电压可变介电材料的例子。在一个 实施中，VSDM材料对应于在商标名下“SURGX”制造的材料。