[发明专利]通过设置假通孔而增加金属化层的附着力的技术

权利要求书

1、一种方法，包括下列步骤：

在半导体器件(200，300)的第一介电层(205，305)的第一部分(205L，305L)中形成多个通孔(213，313)，其中所述的多个通孔(213，313)中的至少一些为电性无功能通孔(213B，313B)；以及

在所述的第一介电层(205，305)的第二部分(205U，305U)中形成第一金属区(212，312)，所述的第二部分(205U，305U)位于所述的第一部分(205L)之上，所述的第一金属区(212，312)连接至所述的电性无功能通孔(213B，313B)的至少其中一个。

2、如权利要求1所述的方法，进一步包括在所述的第一介电层(205，305)的所述的第二部分(205U，305U)中形成第二金属区(212，312)，所述的第二金属区(212，312)连接至一个或多个通孔(213A，313A)以便电性连接至所述的半导体器件(200，300)的半导体电路元件(241，341)。

3、如权利要求2所述的方法，其中，形成所述的第二金属区(212，312)以连接到至少一个电性无功能通孔(213B，313B)。

4、如权利要求1所述的方法，进一步包括在形成所述的第一介电层(305)之前形成第二介电层(343)，以及在所述的第二介电层(343)中形成电性无功能假金属区(303B)，在形成所述的无功能通孔(313B)后，使所述的假金属区(303B)被定位以连接至所述的无功能通孔(313B)的至少其中一个。

5、如权利要求1所述的方法，其中，通过图案化所述的第一介电层(205，305)以收容延伸穿过所述的第一和第二部分(205U，205L，305U，305L)的通孔开口、形成对应于所述的第二部分中的所述的第一金属区(212，312)的开口、以及在共同工艺中用金属填满所述的通孔开口和所述的开口而形成所述的多个通孔(213，213)和所述的第一金属区(212，312)。

6、如权利要求1所述的方法，其中，通过图案化所述的第一介电层(205，305)以收容对应于所述的第二部分(205U，305U)中的所述的第一金属区的开口、形成延伸穿过所述的第一部分(205L，305L)的通孔开口、以及在共同工艺中用金属填满所述的通孔开口和所述的开口而形成所述的多个通孔(213，313)和所述的第一金属区(212，312)。

7、如权利要求1所述的方法，其中，通过形成所述的第一介电层(205，305)的所述的第一部分(205L，305L)、在所述的第一部分(205L，305L)中形成所述的通孔(212，312)、在所述的第一部分(205L，305L)和所述的通孔(212，312)之上形成所述的第一介电层(205，305)的所述的第二部分(205U，305U)、以及在所述的第二部分(205U，305U)中形成所述的第一金属区(212，312)，而形成所述的多个通孔(212，312)和所述的第一金属区(212，312)。

8、如权利要求1所述的方法，其中，所述的第一金属区(212B，312B)表示具有相对于在所述的第二部分内(205U，305U)的横向延伸区的设计尺寸的测试面积(220B，320B)，所述的设计尺寸大于形成在所述的第二部分(205U，305U)中并电性连接至所述的半导体器件(200，300)的半导体电路元件(241，341)的金属区(212A，212C，212D，312A)的对应的设计尺寸。

9、如权利要求1所述的方法，进一步包括依照预定的密度准则，在所述的第一金属区(212，312)下方形成无功能通孔(213B，313B)，以获得所希望的通孔(212，312)的密度。

10、如权利要求2所述的方法，进一步包括依照预定的密度准则，在所述的第二金属区(212A，212B)下方形成无功能通孔(213B，313B)，以获得所希望的通孔(212，312)的密度。