[发明专利]宽带电路和方法

权利要求书

1.一种电路，其包括：

第一级，其具有输出端子，所述输出端子具有相应的第一寄生电容；

第二级，其具有输入端子，所述输入端子具有相应的第二寄生电容；以及

无源网络，其具有耦合到所述第一级的所述输出端子的输入端子以及耦合到所述第二级的所述输入端子的中间节点，

其中所述第一寄生电容被包含作为所述无源网络的输入电容，且所述第二寄生电容被包含作为所述无源网络的所述中间节点的电容，且其中所述第二寄生电容是所述无源网络中的最大电容。

2.根据权利要求1所述的电路，其中所述无源网络是四阶或更高的网络。

3.根据权利要求1所述的电路，其中所述第二寄生电容至少对应于MOS晶体管的栅极。

4.根据权利要求1所述的电路，其中所述无源网络包含耦合在所述第一级的输出与所述中间节点之间的第一电感器，以及耦合在所述中间节点与电阻器的第一端子之间的第二电感器。

5.根据权利要求4所述的电路，其中所述无源网络进一步包括耦合在所述电阻器的所述第一端子与参考电压之间的电容器。

6.根据权利要求1所述的电路，其中所述无源网络包含耦合在所述第一级与第二级之间的第一两端口网络，以及包含耦合到所述中间节点的电阻器的第二单端口网络。

7.根据权利要求1所述的电路，其中所述无源网络在所述中间节点处具有带有从第一低频率到所述无源网络的转角频率的小于三分贝(3dB)纹波的频率响应。

8.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一低频率小于三(3)千兆赫且所述转角频率为至少十(10)千兆赫。

9.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一级是功率放大器、低噪声放大器或混频器。

10.一种电路，其包括：

第一级，其具有输出端子，所述输出端子具有相应的第一寄生电容；

第二级，其具有输入端子，所述输入端子具有相应的第二寄生电容；以及

一个或一个以上第一电感器，其串联耦合在所述第一级输出端子与第一中间节点之间，以及一个或一个以上第二电感器，其串联耦合在所述第一中间节点与负载电阻器的第一端子之间，

其中所述第二级输入端子和相应的第二寄生电容耦合到所述第一中间节点。

11.根据权利要求10所述的电路，其中所述一个或一个以上第一电感器是耦合在所述第一级输出端子与所述第一中间节点之间的两个或两个以上电感器，且其中一电容器耦合在所述两个或两个以上电感器的一个或一个以上第二中间节点之间。

12.根据权利要求10所述的电路，其进一步包括一个或一个以上电容器，其中所述一个或一个以上第一电感器、所述一个或一个以上第二电感器以及所述一个或一个以上电容器被配置为四阶或更高的梯形网络。

13.根据权利要求12所述的电路，其中所述第二寄生电容是耦合到所述第一或第二电感器的最大电容。

14.根据权利要求10所述的电路，其中所述第二级具有带有相应第三寄生电容的第二输入端子，且其中所述第二级的所述第二输入端子和相应的第三寄生电容耦合到第二中间节点。

15.根据权利要求10所述的电路，其中所述第一级是功率放大器、低噪声放大器或混频器。

16.一种方法，其包括：

在第一级中在输出端子处产生第一信号，所述输出端子具有相应的第一寄生电容；

在具有输入端子和中间节点的网络中处理所述第一信号，其中所述网络输入端子耦合到所述第一级的所述输出端子；以及

将所述经处理第一信号耦合到具有耦合到所述中间节点的输入端子的第二级，所述输入端子具有相应的第二寄生电容，

其中所述第一寄生电容被包含作为所述网络的输入电容，且所述第二寄生电容被包含作为所述网络的所述中间节点的电容，且其中所述第二寄生电容是所述网络中的最大电容。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述网络是四阶或更高的网络。

18.根据权利要求16所述的方法，其中所述第一级是功率放大器、低噪声放大器或混频器。