[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其包括：

半导体衬底；

形成在所述半导体衬底上的绝缘膜；以及

薄膜电感器元件，其形成在所述绝缘膜上并包括第一端子、第二端子和导电层，所述导电层在所述第一端子和所述第二端子之间形成为螺旋形状，从而具有多匝和至少一个交点，

其中所述导电层包括：(i)形成在所述半导体衬底上的第一导电层，以及(ii)形成在所述绝缘膜上的第二导电层，所述第二导电层连接到所述第一端子和所述第二端子，在所述交点处隔着所述绝缘膜与所述第一导电层交叉，并在所述交点附近电连接到所述第一导电层，

其中在从沿所述导电层的长度方向的中点到所述第一端子和所述第二端子的方向上对称地设置所述第一导电层和所述第二导电层，所述中点是所述第一端子和所述第二端子之间的中点，在从所述中点到所述第一端子的部分中所述第一导电层和所述第二导电层的布置顺序与在从所述中点到所述第二端子的部分中所述第一导电层和所述第二导电层的布置顺序是相同的，并且

其中，将从所述第一端子到电连接到所述第一导电层的所述第二导电层的一部分的长度与从所述第二端子到电连接到所述第一导电层的所述第二导电层的一部分的长度之比设置为这样的值，使得从所述第一端子所观察到的所述薄膜电感器元件的Q值和从所述第二端子所观察到的所述薄膜电感器元件的Q值之间的差异不超过10％。

2.根据权利要求1所述的器件，其中

所述半导体衬底包括电路元件形成区，在所述电路元件形成区中形成集成电路，并且

所述绝缘膜形成在所述电路元件形成区上。

3.根据权利要求2所述的器件，其中所述第一导电层形成在所述电路 元件形成区中。

4.根据权利要求1所述的器件，其中

在所述半导体衬底上形成多个用于外部连接的连接端子，并且

所述薄膜电感器元件的所述第一端子和所述第二端子中的每一个都连接到所述多个连接端子之一。

5.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一导电层在所述交点附近通过形成在绝缘膜中的至少一个孔而电连接到所述第二导电层。

6.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一导电层形成在包括所述中点的位置中。

7.根据权利要求6所述的器件，其中所述薄膜电感器元件具有两匝，且其中所述薄膜电感器元件包括：

由所述第二导电层制成并形成部分被切除的环形形状的外导电层，以及由所述第二导电层制成且形成在所述外导电层内侧的内导电层，所述内导电层被形成为在与所述外导电层的环形形状被切除的同一侧被部分切除的环形形状，

从所述外导电层的一个端部形成到所述第一端子的引出导电层以及从所述内导电层的一个端部形成到所述第二端子的引出导电层，以及

所述绝缘膜下方的连接导电层，其(i)形成在所述交点处包括所述中点的位置中，(ii)由所述第一导电层制成，且(iii)电连接到所述外导电层的端部和所述内导电层的端部。

8.根据权利要求7所述的器件，其中在所述交点处，所述内导电层隔着所述绝缘膜形成在所述连接导电层上方。

9.根据权利要求7所述的器件，其中在所述交点处，所述引出导电层隔着所述绝缘膜形成在所述连接导电层上方。 

10.根据权利要求1所述的器件，其中所述薄膜电感器元件具有两匝，并且其中所述薄膜电感器元件包括：

由所述第二导电层制成的半圆形的第一外导电层和半圆形的第二外导电层，

在所述第一外导电层和所述第二外导电层内部被形成为部分切除的环形的内导电层，

分别从所述第一外导电层的第一端部和所述第二外导电层的第一端部形成到所述第一端子和所述第二端子的引出导电层，

所述绝缘膜下方的第一连接导电层，其(i)形成在所述交点处，(ii)由所述第一导电层制成，且(iii)电连接到所述内导电层的第一端部和所述第一外导电层的第二端部，以及

所述绝缘膜下方的第二连接导电层，其由所述第一导电层制成，且电连接到所述内导电层的第二端部和所述第二外导电层的第二端部。

11.根据权利要求10所述的器件，其中在所述交点处，所述第二外导电层隔着所述绝缘膜形成在所述第一连接导电层上方。