[发明专利]台装置和等离子体处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及在大气压附近的压力环境下进行等离子体处理的等离 子体处理装置和能够适合用于该等离子体处理装置等的处理装置中的 用于载置被处理基板的台装置。

背景技术

在现有技术中，例如通过0.1～10Torr程度的低压的辉光放电等离 子体对玻璃或塑料等的基板进行表面处理是广为所知的，也应用于产 业中。当使处理环境处于这种真空水平的低压中时，因为能够防止从 放电转移到电弧放电，所以即便基板是耐热性低的塑料等，也能够进 行表面处理。

可是，当在进行基于低压的辉光放电等离子体的表面处理时，作 为处理容器需要高价的真空腔室、真空排气装置。此外，如以所谓的 液晶电视等的大画面化为代表的那样，也存在着基板大型化正在发展 的领域，在这种情况下，需要更大的真空腔室和真空排气装置。结果， 装置成本变高，也不能够避免装置的占地面积的增大。此外，当对吸 水率高的基板进行表面处理时，也存在为了使真空腔室内部达到真空 而需要长时间，导致处理成本自身提高的问题。

因此，为了克服上述种种问题，提出有在大气压下生成辉光放电 等离子体进行基板的表面处理的装置(例如，参照专利文献1)。

这种等离子体处理装置，如图24所示，包括保持被处理基板104 的电极台102和与电极台102相对配置的相对电极103。在相对电极 103上形成有多个供处理气体流出的气体供给孔(图示省略)，并且连 接有用于施加电压的电源部110。另一方面，电极台102包括向上突出 并支持被处理基板104的升降销机构120和使被处理基板104吸附在 电极台102的表面的吸附槽106，并且接地。

吸附槽106在被处理基板104和电极台102之间具有空隙部108， 在该空隙部108中由于内部为低压所以容易产生等离子体。因此，在 吸附槽106中的电压降比较小。

如作为等效电路的图25所示，能够考虑在吸附槽106的附近，在 电源部110和接地部112之间，串联地连接有电阻131、电容器132和 电阻130的电路结构。电阻131表示在相对电极103和被处理基板104 之间发生的等离子体所引起的电压降。电容器132是被处理基板104 中的电容量。此外，电阻130表示吸附槽106中的电压降。电容器132 中的电压降比较大，而电阻132、130中的电压降比较小。这样，由于 吸附槽106的空隙部108中的电压降小，所以实质上不发生对被处理 基板104的处理不均。

此外，在专利文献2中，不限于等离子体处理装置，揭示了独立 地控制用于使载置在载置台上的晶片从载置面浮起的多个升降销上升 时的高度的技术。

专利文献1：日本国公开专利公报“特开平7-118857号公报(1995 年5月9日公开)”

专利文献2：日本国公开专利公报“特开2002-64132号公报(2002 年2月28日公开)”

发明内容

可是，因为升降销机构120的机械精度存在极限，所以即便按照 升降销机构120下降时的销(升降销)的上端120a的位置与电极台102 的吸附面102a为相同高度的方式进行设定，也不会如设定的一样。即， 如图24所示，变为下沉到吸附面102a的下方的状态，或者如图26所 示，相反地从吸附面102a突出的状态。

当销的上端120a变得比电极台102的吸附面102a低时，如图24 所示，在销的上端120a和被处理基板104之间产生由高低平面差引起 的空隙部109。此外，当销的上端120a变得比电极台102的吸附面102a 高时，如图26所示，在吸附面102a和被处理基板104之间产生由高 低平面差引起的空隙部111。

但是，与吸附槽106的情形不同，因为由这些高低平面差引起的 空隙部109、111的压力为大气压，所以即便当施加电压时也不产生等 离子体。结果，导致空隙部109、111中的电压降增大。