[发明专利]减反射光学膜及其制造方法

权利要求书

1.一种减反射光学膜，其中，在透明基材膜上具有低折射率层， 该低折射率层通过含有不具有含氟有机取代基的烷氧基硅烷化合物的 低聚物、不具有含氟有机取代基的氨基硅烷偶联剂、不具有含氟有机 取代基的硅氧烷接枝丙烯酸聚合物及溶剂的热固化性树脂组合物的涂 层的固化而得到，

所述不具有含氟有机取代基的烷氧基硅烷化合物的低聚物为下述 式(1)所示的化合物的低聚物：

R_aSiX_(4-a)                                        (1)

式中，a为0、1或2，R为不具有含氟有机基的有机基；当a为2 时，两个R可相同或不同；X为可水解基团，多个X可互为相同或不 同；

所述不具有含氟有机取代基的氨基硅烷偶联剂为氨基C1至C5烷 基三C1至C3烷氧基硅烷、氨基C1至C5烷基C1至C3烷基二C1至 C3烷氧基硅烷、N-(氨基C1至C3烷基)-3-氨基烷基三C1至C3烷氧 基硅烷、N-(氨基C1至C3烷基)-3-氨基烷基C1至C3烷基二C1至C3 烷氧基硅烷或N-氨基C1至C4烷基取代的氨基C1至C4烷基三C1至 C3烷氧基硅烷；

所述不具有含氟有机取代基的硅氧烷接枝丙烯酸聚合物为由下述 式(2)所示的结构单位所构成的硅氧烷接枝丙烯酸聚合物：

式中，R₁表示氢原子或甲基，R₂表示氢原子或碳原子数1至6的 烷基，R₃表示氢原子或甲基；它们在每个重复单位中可为相同或不同； n为1至10000的正数，m为1至3500的正数，p为1至500的正数。

2.一种减反射光学膜，其中，在透明基材膜上依次设置硬涂层、 高折射率层及权利要求1所述的所述低折射率层。

3.权利要求2所述的减反射光学膜，其中，高折射率层为含有掺 锑氧化锡或掺锑氧化锌或同时含有两者的层。

4.一种减反射光学膜的制造方法，其特征在于，将由含有不具有 含氟有机取代基的烷氧基硅烷化合物的低聚物、不具有含氟有机取代 基的氨基硅烷偶联剂、不具有含氟有机取代基的硅氧烷接枝丙烯酸聚 合物及溶剂的热固化性树脂组合物所构成的涂布液涂布于透明基材膜 或依次设置有硬涂层及高折射率层的透明基材膜上之后，使其在供应 有70至200℃空气的热风干燥机内通过0.5至5分钟，连续进行溶剂 的干燥步骤及热固化步骤，从而形成低折射率层，

所述不具有含氟有机取代基的烷氧基硅烷化合物的低聚物为下述 式(1)所示的化合物的低聚物：

R_aSiX_(4-a)               (1)

式中，a为0、1或2，R为不具有含氟有机基的有机基；当a为2 时，两个R可相同或不同；X为可水解基团，多个X可互为相同或不 同；

所述不具有含氟有机取代基的氨基硅烷偶联剂为氨基C1至C5烷 基三C1至C3烷氧基硅烷、氨基C1至C5烷基C1至C3烷基二C1至 C3烷氧基硅烷、N-(氨基C1至C3烷基)-3-氨基烷基三C1至C3烷氧 基硅烷、N-(氨基C1至C3烷基)-3-氨基烷基C1至C3烷基二C1至C3 烷氧基硅烷或N-氨基C1至C4烷基取代的氨基C1至C4烷基三C1至 C3烷氧基硅烷；

所述不具有含氟有机取代基的硅氧烷接枝丙烯酸聚合物为由下述 式(2)所示的结构单位所构成的硅氧烷接枝丙烯酸聚合物：

式中，R₁表示氢原子或甲基，R₂表示氢原子或碳原子数1至6的 烷基，R₃表示氢原子或甲基；它们在每个重复单位中可为相同或不同； n为1至10000的正数，m为1至3500的正数，p为1至500的正数。