[发明专利]用于非易失性存储器的基于行的交替读写

权利要求书

1.一种编程一组非易失性存储元件的方法，其包含：

编程耦合到邻近于用于所述组非易失性存储元件的选择栅极线的第一字线的非易失性存储元件；

编程耦合到第三字线的非易失性存储元件，所述第三字线邻近于第二字线，所述第二字线邻近于所述第一字线；以及

在编程耦合到所述第三字线的非易失性存储元件和耦合到所述第一字线的非易失性存储元件之后，编程耦合到所述第二字线的非易失性存储元件，其中编程耦合到所述第二字线的非易失性存储元件开始于编程耦合到所述第三字线的非易失性存储元件开始之后。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述选择栅极线为源极侧选择栅极线。

3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含：

在编程耦合到所述第二字线的非易失性存储元件之后编程耦合到第五字线的非易失性存储元件，所述第五字线邻近于第四字线，所述第四字线邻近于所述第三字线；以及

在编程耦合到所述第五字线的非易失性存储元件之后编程耦合到所述第四字线的非易失性存储元件，其中编程耦合到所述第四字线的非易失性存储元件开始于编程耦合到所述第五字线的非易失性存储元件开始之后。

4.根据权利要求3所述的方法，其进一步包含接收包括从所述第三字线读取数据的请求的请求，且响应于所述请求而：

对于耦合到所述第三字线的至少一子组所述非易失性存储元件中的每一非易失性存储元件，基于存储于耦合到所述第二字线的第一邻近非易失性存储元件中的电荷电平和存储于耦合到所述第四字线的第二邻近非易失性存储元件中的电荷电平从预定一组偏移中确定一偏移；以及

针对耦合到所述第三字线的所述非易失性存储元件执行一组读取过程，所述组中的每一读取过程使用来自所述预定一组偏移的所述偏移中的一不同偏移且对耦合到所述第三字线的所有所述非易失性存储元件执行，耦合到所述第三字线的每一非易失性存储元件从所述读取过程中与经确定用于所述每一非易失性存储元件的所述偏移相关联的一个适当读取过程提供最终数据。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述从预定一组偏移中确定一偏移包括：

读取所述第一邻近非易失性存储元件；

读取所述第二邻近非易失性存储元件；以及

使来自所述第一邻近非易失性存储元件的所述读取和所述第二邻近非易失性存储元件的所述读取的信息与所述预定一组偏移相关。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述执行所述组读取过程包括：

使用第一偏移执行第一读取过程且存储对于一个或一个以上非易失性存储元件的结果，所述一个或一个以上非易失性存储元件具有：

在第一状态中的第一邻近非易失性存储元件，和在第二状态、第三状态或第四状态中的第二邻近非易失性存储元件，

在所述第二状态中的第一邻近非易失性存储元件和在所述第一状态或所述第二状态中的第二邻近非易失性存储元件，或

在所述第三状态或所述第四状态中的第一邻近非易失性存储元件和在所述第一状态中的第二邻近非易失性存储元件；

使用第二偏移执行第二读取过程且存储对于一个或一个以上非易失性存储元件的结果，所述一个或一个以上非易失性存储元件具有：

在所述第二状态中的第一邻近非易失性存储元件和在所述第三状态或所述第四状态中的第二邻近非易失性存储元件，

在所述第三状态中的第一邻近非易失性存储元件和在所述第二状态或所述第三状态中的第二邻近非易失性存储元件，或

在所述第四状态中的第一邻近非易失性存储元件和在所述第二状态中的第二邻近非易失性存储元件；以及

使用第三偏移执行第三读取过程且存储对于一个或一个以上非易失性存储元件的结果，所述一个或一个以上非易失性存储元件具有：

在所述第三状态中的第一邻近非易失性存储元件和在所述第四状态中的第二邻近非易失性存储元件，或

在所述第四状态中的第一邻近非易失性存储元件和在所述第三状态或所述第四状态中的第二邻近非易失性存储元件。

7.根据权利要求1所述的方法，其中：

在编程耦合到所述第三字线的非易失性存储元件之前执行编程耦合到所述第一字线的非易失性存储元件。

8.根据权利要求1所述的方法，其中：

编程耦合到所述第一字线的非易失性存储元件包含编程第一页数据。